栅极电阻、栅源电阻

一、栅极电阻

H桥的mos管栅极电阻
1.减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或者更低)。
2.若不加R39电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R39电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。
如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小
MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。
栅极电阻阻值过大
MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速身高。
二、栅源电阻
1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止mos管产生误动作，甚至击穿mos管（因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压），起到了保护mos管的作用。
保护栅极G-源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极；这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。
2.为mos管提供偏置电压，即不使栅极电压悬空，导致mos管被误导通。