朋友们经常看到xxxxx推出多少nm工艺，比如华为7nm，台积电3nm，三星3nm之类的新闻，那么这个nm纳米单位到底代表着什么呢
其实我们可以笼统的理解为MOS管mosfet的沟道的宽度。
这里有几个关键字，
1 笼统的理解
2 什么是mosfet沟道的宽度
3 为什么随着技术的发展，沟道的长度越来越短呢，有什么好处呢
我们来一一解答
详情可参考视频： 艺芯片技术揭秘：晶体管芯片内部物理结构布局设计标准单元全解析3nm工艺_哔哩哔哩_bilibili
首先以上都是基于MOS管来说的，所以我们看下MOS管的基本结构
详细工作原理请参考：https://zhuanlan.zhihu.com/p/23897008022
我们看到了把，如果S和D极要想接通，必须让G栅极下面的区域导通，这个区域就形成沟道，他的长度就是沟道长度，明白了吧
而行业内定义把这个长度定义为衡量制程能力的参数，比如28nm就代表沟道长度为28nm
这样我们回答完第2个问题了
再说说第一个问题
因为随着半导体技术工艺的进步，随着技术的推演，上面的沟道从平面结构演变出立体结构了， 叫做finfet沟道工艺， 按上面的参数量测方法，虽然他可能是18nm量出来，但是等效的性能却有10nm的表现， 所以我们就叫他10nm，
所以现在的3nm 2nm的工艺，实际的沟道长度肯定不止3nm或者2nm， 都是等效的
因为现在都用finfet 或者更高级的 gaafet。
见下图
最后说下第三个问题
提高芯片性能
- 提升开关速度
MOSFET 的开关过程本质上是通过栅极电压控制沟道中载流子（电子或空穴）的形成和消失。沟道长度越短，载流子在源极和漏极之间移动的距离就越短，所需的时间也就越少。根据载流子的迁移理论，载流子在电场作用下的漂移速度与电场强度和迁移率有关，在相同的电场强度下，较短的沟道使得载流子能够更快地完成迁移，从而加快了 MOSFET 的开关速度。这对于提高集成电路的工作频率至关重要，例如在 CPU（中央处理器）中，更高的开关速度意味着能够在更短的时间内完成更多的运算操作，提升了计算机的整体性能。 - 增强电流驱动能力
在 MOSFET 中，沟道可以看作是电流传导的路径。当沟道长度缩短时，沟道电阻会减小。根据欧姆定律（其中是电流，是电压，是电阻），在相同的栅极电压和源漏电压下，较小的沟道电阻会使通过沟道的电流增大，即增强了 MOSFET 的电流驱动能力。更强的电流驱动能力可以使电路更快地对信号进行响应和处理，提高了电路的性能和效率。
增加芯片集成度
- 实现更高密度的晶体管集成
集成电路的发展趋势是在有限的芯片面积上集成更多的晶体管，以实现更复杂的功能。较短的沟道长度意味着每个 MOSFET 占用的芯片面积更小。通过缩小沟道长度，可以在相同面积的芯片上放置更多的晶体管，从而大大提高了芯片的集成度。例如，从早期的大规模集成电路到如今的超大规模集成电路，晶体管数量从几千个增加到数十亿个甚至更多，这主要得益于沟道长度的不断缩短。更高的集成度使得芯片能够实现更强大的功能，如智能手机中的处理器可以集成 CPU、GPU（图形处理器）、内存控制器等多种功能模块。
降低功耗
- 减少动态功耗
动态功耗是 MOSFET 在开关过程中消耗的能量，主要与电容充放电和短路电流有关。其中，电容充放电功耗（其中是负载电容，是电源电压，是开关频率）。当沟道长度缩短时，MOSFET 的寄生电容会减小，因为沟道长度的减小会使源极、漏极和栅极之间的重叠面积减小，从而降低了电容值。在相同的电源电压和开关频率下，较小的寄生电容会使动态功耗降低。此外，较短的沟道还可以允许降低电源电压，因为在短沟道器件中，较低的电压就可以实现足够的电场来驱动载流子，进一步降低了动态功耗。 - 降低静态功耗
虽然短沟道器件可能会引入一些短沟道效应导致静态漏电流增加，但通过不断改进工艺和器件结构（如采用高 K 介质、FinFET 等技术），可以有效地控制静态漏电流。而且，从整体上看，由于芯片集成度的提高，每个功能单元的功耗可以分摊到更多的晶体管上，使得单位功能的功耗降低。
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