Bi4Ti;O12-BisTiNbO, (BIT-BTN)和Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O1s(BIT-SBTi)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜
我们采用溶胶-凝胶法制备Bi4Ti;O12-BisTiNbO,( BIT-BTN)Bi4Ti;O12-SrBiTi4O1s
(BIT-SBTi)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜,研究了制备工艺和结构变化对薄膜结
构和性能的影响,为高性能、低成本铁电材料的制备提供一种有效方法。
利用P-100 硅为衬底,采用旋涂法制备薄膜,整个溶胶凝胶法制备铁电铋层状共生结构薄膜的工艺过程如图所示。
混合匀胶法制备薄膜 |
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步骤一 |
根据实验配比需要,将BTN前驱液与BIT前驱液充分搅拌2小时,制备出BIT-BTN前驱液;用同样的方式制备BIT-SBTi前驱液;
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步骤二 |
设置好匀胶机参数:转速为4000R/min,启动时间为5s,甩胶时间为30s;
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步骤三 |
打开真空泵,将衬底放置在匀胶机上,然后启动匀胶机,将前驱液用滴管滴到正在旋转的衬底上; |
步骤四 |
将制备好的湿膜放置到120C的红外干燥箱内干燥5分钟,使部分有机溶剂挥发,防止在后续的热处理过程中薄膜升温速度过快导致龟裂; |
步骤五 |
让预热过的薄膜放置在300C的恒温热盘上进行烘烤10min,使有机溶剂挥发和有机物燃烧,形成无定形态的薄膜,在烘烤过程中,为避免空气中粉尘杂质的影响,好用盖子盖住硅片 |
步骤六 |
等薄膜自然冷却后,重复上述过程,直到薄膜达到所需要的厚度;
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