Bi4Ti；O12-BisTiNbO, (BIT-BTN)和Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O1s(BIT-SBTi)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜

Bi4Ti;O12-BisTiNbO, (BIT-BTN)和Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O1s(BIT-SBTi)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜

我们采用溶胶-凝胶法制备Bi4Ti;O12-BisTiNbO,( BIT-BTN)Bi4Ti;O12-SrBiTi4O1s

(BIT-SBTi)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜，研究了制备工艺和结构变化对薄膜结

构和性能的影响，为高性能、低成本铁电材料的制备提供一种有效方法。

利用P-100 硅为衬底，采用旋涂法制备薄膜，整个溶胶凝胶法制备铁电铋层状共生结构薄膜的工艺过程如图所示。

混合匀胶法制备薄膜
步骤一	根据实验配比需要，将BTN前驱液与BIT前驱液充分搅拌2小时，制备出BIT-BTN前驱液;用同样的方式制备BIT-SBTi前驱液;
步骤二	设置好匀胶机参数:转速为4000R/min，启动时间为5s，甩胶时间为30s;
步骤三	打开真空泵，将衬底放置在匀胶机上，然后启动匀胶机，将前驱液用滴管滴到正在旋转的衬底上;
步骤四	将制备好的湿膜放置到120C的红外干燥箱内干燥5分钟，使部分有机溶剂挥发，防止在后续的热处理过程中薄膜升温速度过快导致龟裂;
步骤五	让预热过的薄膜放置在300C的恒温热盘上进行烘烤10min,使有机溶剂挥发和有机物燃烧，形成无定形态的薄膜，在烘烤过程中，为避免空气中粉尘杂质的影响，好用盖子盖住硅片
步骤六	等薄膜自然冷却后，重复上述过程，直到薄膜达到所需要的厚度;