三极管的理解

三极管:全称半导体三极管,又称双极型晶体管。

按结构:NPN管与PNP管

按功率:大、中、小功率管

按半导体材料:硅管、锗管

按频率:高频管和低频管

精要:1.以NPN型为例,接电源正的那块N半导体则是发射区,

           2.被两块N半导体夹住的P半导体则是基区,基区较另两个区薄,即中间那块P半导体较小/薄。

           3.剩下那块N半导体则是集电区。

           4.分别对应引出的三根线则分别是发射极(E)、基极(B)、集电极(C).

           5.而发射区(N)与基区(P)的交界处即是发射结(EB结),集电区(N)与基区(P)的交界处即是集电结(CB结)。

           6.两个结的本质都是形成一个空间电荷区,是指交界面附近出现的带电离子集中的薄层,又称耗尽层、阻挡层。

           7.由于浓度差导致多子的扩撒运动(P的空穴,N的电子),扩散完剩下与其极性相反的杂质离子,空间电荷区的半部剩下是带负电的杂质离子,另一半部是带整电的杂质离子,因此空间电荷区中就形成一个N区指向P区的内建电场。N→P

           8.要使三极管有放大作用,三极管的发射结必须正偏,集电结必须反偏。

           9.PN结正向偏置时,即P接正极(positive),N接负极(negative),外加电场方向由P→N,由第7条,两者方向相反,减弱了空间电荷区内的电场,即对应于第6条的耗尽层、阻挡层的称谓。空间电荷区宽度减小。多子的扩散运动大大增强,少子漂移减弱,扩散电流占主要地位,即得到大电流的结果。

          10.PN结反向偏置时,即P接负极,N接正极,外加电场方向由N→P,与内建电场方向相同,空间电荷区的电场得到加强,而内建电场的作用则是抑制多子的扩散,内建电场方向是N→P,多子的扩散以一边为例,P的多子空穴要往N扩散,方向是P→N(由于N的多子带负电,扩散方向与P的空穴扩散构成的电流方向是一致的),因而被内建电场所抑制,最后扩散电流迅速减小,少子的漂移运动加强,由于少子足够少,形成的漂移电流仍然很小,且近似为一定值。

        11.9和10点共同构成了PN结正向偏置时电阻很小,反向偏置时电阻很大的单向导电性。

        12.为什么说接电源正的那块N半导体则是发射区:由此而发。

        13.发射区中的多子为什么是自由电子?基区的多子为什么是空穴?(仅对NPN型提出此问题)

N型半导体:N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体

P型半导体:也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

总结:本质是材料掺杂问题。

      14.三极管的放大过程:依然是以NPN型为例。

发射结正偏,多子电子注入到基区,得到电子电流I(EN),(括号内是脚标),同时地,基区的多子空穴注入到发射区,形成空穴电流I(EP),即以基区为基准,空穴过去,电子过来。发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度(第2点,基区较薄),即I(EN)远远大于I(EP).则发射极电流:I(E)=I(EN)+I(EP)(可忽略)=I(EN)。

在发射结的多子电子少量的在基区被空穴复合掉后,绝大部分到达集电结。

集电结加反向偏置,到达集电结的电子继续通过集电结,形成电流I(CN),同时地,电子漂移通过集电结,集电区的空穴与基区的电子形成反向饱和电流I(CBO),即以基区为基准,电子过去,空穴过来。反向饱和电流的反向即对应于反向偏置。从而最后得到集电极电流I(C)=I(CN)+I(CBO).

基极电流I(B)=I(E)-I(C).

粗略地理解为I(E)过了一段路到达集电结被削弱了一些得到了I(C),例如途中有少子复合。

而共基电流传输系数α=I(C)/I(E),可以简约为α=I(CN)/I(EN),大小肯定不超过1,一般为0.99-0.995.

I(E)的变化控制I(C)的变化,则三极管是一种电流控制器件。

有人可能会问,这不是把电流变小了吗?哪里放大?我们忘了一个电流I(B)

联立之前的方程可以得到:

实质上,是由I(B)控制I(C)的改变,而β定是大于1的,则达到了放大效果。

 光源检测电路的设计
      利用光敏电阻值随光强弱变化的特性组成光控开关电路,如图4。当无光照射时,光敏电阻阻值很大,
三极管处于截止状态,集电极输出高电平;当有光照射时,光敏电阻阻值变小,三极管饱和导通。将检测到
的高低电平信号送单片机,依此调整车头方向,使其 沿光源方向行驶。检测电路安装在小车车头位置。根据截止集电结、发射结反偏,光敏电阻阻值很大时,集电结极电集电压大于基极电压,集电结反偏;光敏电阻很大时,基极电位接近于0,根据PN结的V-I特性图,正向偏置特性在正向电压0.5V起才会激发,小于这个电压时仍然是反向偏置特性。因此,光敏电阻很大时,三极管处于反向偏置特性。

根据截止集电结、发射结反偏,光敏电阻阻值很大时,集电结极电集电压大于基极电压,集电结反偏;光敏电阻很大时,基极电位接近于0,根据PN结的V-I特性图,正向偏置特性在正向电压0.5V起才会激发,小于这个电压时仍然是反向偏置特性。因此,光敏电阻很大时,三极管处于反向偏置特性。

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