反激变压器的饱和问题

变压器饱和电流的计算：

变压器饱和是由于磁芯中的磁通密度（BB）达到饱和磁通密度（BsatBsat​），此时磁导率急剧下降，电感量 LL 崩溃。

符号	参数	单位
BsatBsat​	磁芯饱和磁通密度	T（特斯拉）
AeAe​	磁芯有效截面积	m²（通常厂商给出 mm²，需转换）
NN	绕组匝数（原边或副边）	-
LL	电感量（原边 LpLp​ 或副边 LsLs​）	H（亨利）

影响饱和电流的因素：

1. 磁芯材料：不同材料的 BsatBsat​ 不同（如铁氧体 vs. 硅钢）。

2. 温度：高温下 BsatBsat​ 降低，饱和电流减小。

3. 气隙（Gap）：

   • 增加气隙可提高饱和电流，但会降低电感量。

   • 气隙计算公式（适用于反激变压器）：

     Isat∝1μr（μr 为有效磁导率）Isat​∝μr​1​（μr​ 为有效磁导率）

4. 工作频率：

   • 高频下涡流损耗增加，可能导致局部饱和。

如何避免变压器饱和：

1. 限制峰值电流：

   • 在开关电源中，通过 电流检测电阻（CS电阻） 或 峰值电流控制模式 限制 Ipeak<IsatIpeak​<Isat​。

2. 增加气隙：

   • 在磁芯中加气隙（如反激变压器常用），可提高 IsatIsat​。

3. 选择高 BsatBsat​ 磁芯：

   • 如使用 铁硅铝（Sendust） 或 非晶合金 磁芯。

4. 优化匝数：

   • 减少匝数 NN 可提高 IsatIsat​，但会改变电压比。

测量电流采样电阻R25上面的电流或者电压波形就可以了：

没有饱和的波形：

饱和的波形：（已经不是线性关系，变成曲线上升）

变压器的饱和怎么办：

一般是设计缺陷，但是可以微操解决：

气隙增加了磁路中的磁阻，在磁动势一定时可以控制磁芯的磁通密度，从而平衡直流成分的影响。

反激变压器一般情况下需要开气隙，主要是为了防止磁饱和，并保证变压器具有存储大量电磁能的作用。气隙可以减小磁通密度，从而防止磁路失效，确保反激变压器能正常工作。

模气隙就是磨中间的圆柱两边：

运放的虚短和虚断：

比较器和运算放大器区别：

0.比较器不能当做运算放大器，运放有些时候可以当做比较器，但不推荐这样做。

1.比较器的翻转速度比较快。

2.运放可以接入负反馈电路，而比较器则不可以接入负反馈电路，由于比较器没有负反馈电路。

3.比较器的输出端需要上拉电阻上拉，因为比较器的输出极是开漏输出；运放是双极性输出。

MOS的米勒效应：

给Cgs的充电过程中被Cgd截断，给Cgd充满电后再给Cgs充电：

MOS的栅极电阻上为啥反并联一个二极管：

在MOS管的栅极电阻上反并联一个二极管的主要目的是优化开关性能，具体作用如下：

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1. 加速栅极放电（关断速度提高）

MOS管在关断时，需要迅速将栅极上的电荷放掉（即降低栅极电压）。栅极电阻在放电路径中起到了电流限制作用，而反并联的二极管提供了一条低阻抗的放电路径，从而加快放电速度。

• 工作原理：
  • 栅极电压下降时，反并联的二极管导通，形成快速放电路径，减小了RC时间常数，缩短了MOS管关断时间。
  • 开通时，电流不会通过二极管，仅通过栅极电阻来控制充电速度。

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2. 防止驱动过冲或振荡（抑制电磁干扰）

在高频开关应用中，MOS管栅极电路容易产生过冲或振荡（特别是在较长PCB布线或较大寄生电感的情况下）。反并联二极管通过提供一个快速泄放的路径，抑制了这种振荡。

• 电路特性：
  • 栅极电阻主要控制MOS管开启时的充电速度，防止过快的充电导致干扰。
  • 二极管可以快速放电，防止振荡形成。

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3. 降低关断损耗（提高效率）

MOS管在关断时，如果栅极电压下降得太慢，会导致MOS管长时间处于线性区（开关状态未完全切换），从而产生较大的功耗。反并联二极管加速了放电过程，使MOS管更快进入关断状态，从而减少关断过程中的功耗，提高效率。

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4. 保护驱动电路

在一些情况下，栅极电压可能会有反向过冲。反并联二极管可以防止这种反向电压对驱动芯片或栅极结构造成损坏。

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总结

反并联二极管与栅极电阻的组合实现了“开启缓慢、关断快速”的特性，这在高频、低损耗开关电路中尤为重要。通常这种设计在功率MOSFET的驱动电路中非常常见。

MOS栅极串联小电阻的作用：

抑制振荡的本质原因是：走线电感和MOS的寄生电容之间形成的LC，容易谐振：

加一个电阻就是吸收这个谐振，还有一个作用是减小栅极驱动电流,MOS是压控型器件，栅极驱动不需要很大的电流：

下图电路中，R16（10kΩ） 的主要作用是对 MOSFET（Q1，AO3400A）的栅极进行下拉。

1. 防止栅极悬空

MOSFET 的栅极是一种高阻抗输入，如果控制信号（标记为 LED）悬空时，MOSFET 的栅极电压可能会由于寄生电容或噪声影响而漂移，从而导致 MOSFET 误导通或不稳定工作。R16 将栅极电压拉至地电位，确保在 LED 信号未驱动（低电平或开路）时，MOSFET 保持可靠的关断状态。

R16 是一个保护电阻，主要用于保证 MOSFET 栅极的状态在无信号输入时稳定在低电平，防止误导通或电路不稳定，同时也优化了关断速度和抗干扰能力。

2. 加快栅极电压下降

当输入信号 LED 从高电平切换到低电平时，R16 提供一个放电路径，使栅极电荷迅速通过 R16 放掉。这可以加快 MOSFET 的关断速度，减少关断延迟。

USART是一种异步串行通信：

H桥：

上下MOS管哪个是P管哪个是N管，以及能不能调换顺序，这主要取决于你的电路设计和需求。在标准的H桥电路中，上桥通常使用PMOS管，下桥使用NMOS管，但并非绝对。很多半桥芯片上下管子都是NMOS: