IGBT关断分3个阶段

IGBT的关断特性：

下图左侧是MOS的关断特性，右侧是IGBT的关断特性：

IGBT开通损耗和关断损耗哪个更大一些，为什么?

一般来说，IGBT的关断损耗比开通损耗更大。原因如下：

1. 关断时存在尾电流
   IGBT在关断时，由于其内部的少子载流子（特别是PNP结构中的空穴）需要时间复合或扩散，导致存在一定的关断尾电流（tail current）。这个尾电流在较长的时间内缓慢衰减，导致额外的能量损耗。相比之下，MOSFET关断时不会有这种明显的尾电流效应，因此IGBT的关断损耗较大。

2. 电流与电压的交叠
   IGBT在开通时，尽管电流上升较快，但因为电压已经下降，电流与电压的交叠区域较小，因此损耗相对较低。
   而在关断时，虽然电流下降，但电压已经上升，导致电压-电流交叠区域较大，产生较大的瞬时功率损耗。

3. 开通损耗的影响因素
   开通过程中，电流上升是主要的损耗来源，但由于IGBT的输入电容较大，门极驱动电路可以优化开通过程，减少dv/dt和di/dt的影响，因此可以一定程度上降低开通损耗。

结论

在相同条件下，IGBT的关断损耗通常比开通损耗更大，主要由于尾电流效应和电压-电流交叠的影响。这也是为什么在高频应用中，会使用更快的IGBT或SiC MOSFET来减少开关损耗。

本文图片参考自：

【微课堂系列IGBT的开关特性第2讲IGBT的关断过程和关断特性】https://www.bilibili.com/video/BV1mw411D7LS?vd_source=3cc3c07b09206097d0d8b0aefdf07958

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LDO（低压差线性稳压器）不会产生明显的纹波的原因：

LDO（低压差线性稳压器）不会产生明显的纹波，主要原因是它是线性稳压器，没有高频开关动作。LDO 通过调整内部的误差放大器和功率晶体管来维持稳定的输出电压，而不像开关电源那样通过高频开关来转换电压。因此，LDO 的输出电压非常平稳，没有开关电源那种由于高频开关和电感储能释放带来的纹波。

LDO：线性稳压，不依赖开关频率输出电压平稳，无高频纹波效率较低（因为输入与输出的电压差全部转化为热量）适用于小电流、低噪声应用（如模拟电路、射频电路）

戴维南定理和诺顿定理：