NAND FLASH 和NOR FLASH

1、擦写次数：

       NOR的擦写次数是10万次，NAND的擦写次数是100万次；

2、读写方式和速度：

       NAND 和NOR 的读都可以以字节为单位，但NAND 的写以page 为单位，而NOR 可以随机写每一个字节。NAND 和NOR 的擦除都以block 为单位，但一般NAND 的block 比NOR 的block 小。另外，不管是NAND 还是NOR ，在写入前，都必须先进行擦除操作。

      NAND 的擦除和写入速度比NOR 快，NOR的读取速度更快一点；

3、容量和成本：

      NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）

4、功能

      NOR 可以在片内直接运行程序，而NAND不能直接运行程序，只有拷到RAM中才能运行。

5、可靠性

      NAND可能存在坏块，出厂会有标记，而NOR不存在坏块问题。

6、使用角度

      NOR flash采用统一编址（有独立地址线），可随机读取每个“字”，但NOR flash不能像RAM以字节改写数据，只能按“页”写，故NOR flash不能代替RAM。擦除既可整页擦除，也可整块擦除。

      NAND flash共用地址线和数据线，页是读写数据的最小单元，块是擦除数据的最小单元。