半导体器件

半导体器件

半导体的基本知识

定义：导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体。

现代电子学中，半导体用的最多的是$\text{硅}$和$\text{锗}$。它们的最外层电子数都是四个。

半导体的导电特性体现为：

• 热敏性：温度升高，导电能力增强；
• 光敏性：光照强，导电能力增加；
• 掺杂性：加入适当杂质，导电能力增强。

本征半导体

化学成分纯净的半导体晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到$99.9999999\%$，常称为“九个$9$”。其内部结构如下图所示：

本征半导体的共价键结构如下图所示非常稳定，没有多余的电子，只有通过很强的力才能使电子脱离晶体束缚。

在绝对$0$度下，本征半导体的所有价电子被束缚在共价键内，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力非常弱。

在常温下，本征半导体的导电机理如下所示：

在绝对零度下，本征半导体相当于绝缘体，在常温下，由于热激发（本征激发），使得一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位置，称为空穴。在一定的温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。

在电子流和空穴流的叠加下，形成总电流，半导体就可以导电了。

杂志半导体

向本征半导体中掺入某些微量杂质，会使得参杂半导体的某种载流子浓度大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N型半导体（电子半导体），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P型半导体（空穴半导体）。

PN结

PN结具有单向导电性。

PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。

本节小结

半导体二极管及其应用

二极管的电路符号

二极管的伏安特性

二极管的伏安特性分为正向特性和负向特性。

• 正向特性：在电压大于$0$时候，存在死区电压，首先要大于死区电压二极管才可以导通。一般的，硅二极管的死区电压$U_{th}=0.5V$,导通电压为$0.7V$;锗二极管的死区电压$U_{th}=0.1V$，导通电压为$0.3V$。

• 负向特性：当$U_{BR}\le U\le 0$时候，反向电流非常小，此时反向电流称为反向饱和电流$I_s$,当$U\ge U_{BR}$,反向电流急剧增加，$U_{BR}$称为反向击穿电压。

二极管模型简化

将曲线折线处理，得到以下理想模型。

二极管的参数

• 1. 最大整流电流$I_F$:二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。
• 2.反向击穿电压$U_{BR}$:二极管反向电流突然增大时对应的反向电压值。
• 3.最大反向工作电压$U_{RM}$:反向击穿电压的一半。
• 4.反向电流$I_R$:硅的反向电流一般在$nA$级别，锗的反向电流一般在$\mu A$级别。

二极管的温度特性

温度对二极管的性能有较大的影响，主要体现在反向电流和正向压降上。

1. 温度升高时，反向电流将呈指数规律增加

2. 温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加$1$℃，正向压降$U_F(U_D)$大约减小$2mV$，即具有负的温度系数.

温度升高正向特性左移，反向特性下移

本节小结

• 1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。

• 2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。

• 3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。

• 4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。

特殊二极管

稳压二极管

符号

特性

与二极管类似，不过稳压管有更稳定的反向工作电压。

1. 稳定电压$U_Z$

在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。

2. 动态电阻$r_Z$

动态电阻是从它的反向特性上求取。 $r_z$愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
$$r_Z=\frac{\Delta U_Z}{\Delta I_Z}$$

3. 最大耗散功率$P_{ZN}$

稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 $P_Z=U_Z\cdot I_Z$。

4. 最大稳定工作电流$I_{Z\text{max}}$和最小稳定工作电流$I_{Z\text{min}}$

光电二极管与发光二极管

晶体管

由于其内部有两种带有不同极性的载流子参与导电，所以也称为双极结型晶体管。

晶体管的基本结构和分类

晶体管有两种分类:NPN和PNP型。

晶体管的三个区有工艺要求：

1. 基区很薄，掺杂浓度在三个区中最低；
2. 发射区掺杂浓度最高，远大于集电区；
3. 集电结面积大于发射结面积，便于收集载流子。

晶体管的工作机理与放大条件

为了使用晶体管以实现晶体管的放大作用，除了满足晶体管自己的内部条件，即工艺要求，还要满足外部条件：发射极正偏，集电极反偏。

三极管具有以下电流关系：

$$\{\begin{array}{l}{I}_C=\beta I_B\\ I_E=I_C+I_B\\ \beta =\frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}\end{array}$$

晶体管的伏安特性曲线

晶体管的伏安特性曲线是通过以下实验回路测得到：

输入特性

在共发射极晶体管电路中，当$U_{CE}$一定时，输入回路中的电流$I_B$与电压$U_{BE}$之间的关系称为共发射解法晶体管的输入特性。

输出特性

在共发射极晶体管电路中，当$I_B$为定值时，输出回路中的电流$I_C$与电压$U_{CE}$的关系曲线

在晶体管满足发射结正偏，集电结反偏，晶体管处于放大区间，若发射结和集电结都处于正偏，处于饱和区，若发射结和集电结都处于反偏，处于截止区。

晶体管主要参数

1. 电流放大系数

$$\beta =\frac{\Delta I_C}{\Delta I_B}{|}_{U_{CE}}$$

2. 极限参数

• 集电结最大允许电流$I_{CM}$;
• 集电结最大允许功率损耗$P_{CM}$

$$P_{CM}=I_C{U}_{CE}$$

超过这个限制晶体管会损坏。

• 集电极-发射极间的反向击穿电压$U_{BR}CEO$

温度对晶体管参数影响

$$温度升高\{\begin{array}{l}\text{输入特性曲线左移}\\ \text{输出特性曲线上移，间隔加宽}\end{array}$$

复合晶体管

复合晶体管是把晶体管的管脚适当连起来如:$NPN+NPN$,它们都有以下关系

$$\beta ={\beta }_1{\beta }_2$$

场效应晶体管

场效应晶体管是一种由一种载流子起主导作用的，所以称为单极型晶体管。它有很高的输入电阻，还具有热稳定性好、功耗小、噪声低、制造工艺简单、便于集成的优点。

$$场效应晶体管\{\begin{array}{l}\text{结型场效应晶体管}\\ \text{绝缘栅型场效应晶体管}\{\begin{array}{l}\text{耗尽型}\\ \text{增强型}\end{array}\end{array}$$

我们这里介绍MOS管，只要知道：绝缘型的输入电流为$0$。