SiC MOSFET在Boost电路中的应用

摘要:第三代半导体材料SiC功率器件由于高温、高频、高阻断电压等优良特性,有利于提升电能变换装置的功率密度和效率，减小重量和体积，降低制造成本。利用PSpico仿真软件测试SiCMOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了 SiC MOSFET的驱动电路，利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性。分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用，利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号，最后搭建实验电路。实验结果表明，SiC MOSFET的开关响应速度快，导通电阻小，开关损耗小，电路效率高。 

引言

目前市场上电力电子装置大都采用硅基功率器件,由于硅基器件的性能已发挥到极限，因此电力电子装置的发展也受到了限制［1-3］）为了提高电子电子装置的性能及效率，第三代半导体材料碳化硅功率器件因其开关速度快，导通电阻小,阻断电压高, 开关损耗小等优良特性得到了广泛关注［4-5］）碳化硅MOSFET（简称SiC MOSFET）的诞生结合了高频Si MOSFET和高压Si IGBT的优点，工作频率可以达到MHz级,电压可以高达3000 kV,并稳定运行在200 m的高温下［6-8］o较高的工作温度减小了散热器的体积和重量，较高的开关频率减小了系统的体积和重量。采用SiC功率器件由于损耗的降低，提高了电子电子装置的效率［9-12］）

该文对比SC MOSFET与传统的Si IGBT的静态特性，使用双脉冲电路测试SC MOSFET的动态特性，在相同驱动电阻、开关频率和相同负载的条件下，测试不同占空比SC MOSFET与Si IGBT在Boost电路的负载电压及效率及不同输入电压时功率器件的温度。图1为系统设计方案结构图,220 V市电经过变压器变换成电压等级较低的交流电,再经过EMI滤波后整流滤波得到Boost电路所需的直流输入，经Boost电路变换成另外一种直流电。单片机STM32F407ZG产生PWM信号,通过驱动电路功率放大后控制功率开关器件的开通和关断。

1开关特性

1.1静态特性

1.2动态特性

2驱动电路的设计

SCT2080KE的驱动电压为-6 ~ +22 V,门极浪涌电压为-10~ +26 V,门极开启阈值电压最小值为1.6 V)高的开关频率在开通和关断过程中会产生电压和电流的波形震荡，开关关断时电流给反馈电容充电，栅极的电压升高超过开启阈值电压会引起开关的误导通，因此必须提供-2 ~-6 V的负压使开关快速关断，防止开关误导通,增强抗干扰能力[20])因此驱动电源选择+18 V的正向驱动电压和-5V的反向关断电压。正负电压由辅助电源产生，如图6所示，市电经过变压器BK100 VA转换成电压等级较低的交流电，经过二极管半波整流滤波,再通过三端稳压管7818和滤波电容得到+18 V的直流电。负压也是交流电经过二极管半波整流滤波，再通过产生负压的三端稳压管7905滤波后得到-5 V的直流电。 

电路的隔离驱动用IED120N12AF芯片来实现， 该芯片用无磁芯的变压器实现磁隔离,外围电路简单。该芯片可实现双电源供电，引脚VCC1供电范围为3.3 ~ 15 V,驱动信号由单片STM32F407ZG产生,6,7引脚输出的PWM信号满足栅极驱动的要求,D3和C为负压产生电路,D1和D2为栅极箝位保护二极管,C3为震荡抑制电容，用来抑制高频下的开关震荡。IED120N12AF外围电路如图7所示。74LV4245为电平转换芯片，把3.3 V的PWM信号转换为5 V的信号匹配IED120N12AF的逻辑端5 V电压。

图8为开关频率为500 kHz时实验测得的驱动波形，由图可知驱动波形正压为+18 V,负压为-5 V,因开关频率高波形震荡较大，但开关开通和关断时间均在30 ns以内，波形震荡均在100 ns以内达到稳定，证明了 SiC MOSFET的开关时间很短。

4 Boost电路

如图10所示,DC-DC Boost升压电路中，分别  用SiC MOSFET与Si IGBT作为功率开关管,V】始终关断，V2作为功率开关,V2导通时，电感L储存能量,V2关断时电感L释放储存的能量，通过V1的二极管续流，为电容充电同时负载提供能量。表3所示为开关频率为100 kHe,输入电压为50 V,负载电阻为1k%,测量不同占空比时负载电压大小以及Boost电路的效率，可知占空比约为0. 5时,输出电压最接近理想值，误差最小,Boost电路的效率最大。 占空比太大或者太小，误差也变大,Boost电路的效率也随之降低。相同测试条件下,SiC MOSFET比SiIGBT在开关电源中负载电压更接近理想值,误差更小，效率更高。

在相同条件下，测试不同输入电压时功率器件的温度，测试结果如表4所示，SiC MOSFET的温度明显低于Si IGBT的温度，说明SiC MOSFET比SiIGBT的开关损耗小。

5结语

该文针对Boost电路设计了一种SiC MOSFET的驱动电路，分别测试了 SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性并比较，利用双脉冲电路测试动态性能，并分析不同因素对开关特性的影响。在DC - DCBoost升压电路中分别用SiC MOSFET和Si IGBT作为功率器件,在相同的测试条件下，不同占空比对应的负载电压和效率，以及不同输入电压的条件下测试了 SiC MOSFET和Si IGBT功率器件的温度。结果证明，SiC MOSFET比Si IGBT输出负载电压更接近理想值，电路效率更高，开关损耗更小。