肖特基二极管工作原理

肖特基结

• 金属功函数

  • 一个金属块中有很多的自由电子，所谓的自由，指的是在这个金属块中，电子可以自由移动，但是电子脱离这个金属块很困难。
    
  • 衡量脱离金属块难易程度的参数：金属功函数

  元素	功函数
  Ag, 银	4.26eV
  Al, 铝	4.28eV
  Au, 金	5.1eV

• 半导体亲合能

  • 同理，一个半导体块中的电子也具有类似的参数，即亲合能
  • 常见半导体亲合能

  元素	电子亲合能
  Ge, 锗	4.13eV
  Si, 硅	4.01eV

• 可见，相对于金属，半导体更容易失去电子，当半导体跟金属放在一起的时候，在接触位置，因为得失电子能力不平衡，半导体会失去电子，而金属得到电子（切勿以为金属的电子流向半导体），如图

• 类似PN结，由于半导体与金属接触部分失去电子，留下正离子带正电，构建一个内建电场，阻止电子往金属跑，没有外界电压情况下，达到平衡形成一个势垒，这就是肖特基势垒。

• 外接电场，同PN结，势垒变窄导通，势垒变宽截止。显然金属端为阳极，半导体端为阴极。

• 问题来了，在半导体器件中，管脚引线都是金属的，既然金属跟半导体接触会产生肖特基势垒，那为什么没有说形成了二极管？

欧姆接触

• 金属与半导体接触，可以形成两种接触方式：肖特基接触及欧姆接触。
• 肖特基接触形成二极管，具有整流特性。
• 欧姆接触相当于一个小的电阻，没有整流特性。
• 区别：形成的空间电荷区的厚度不一样。
  • 半导体的掺杂浓度低，空间电荷区的厚度比较厚，形成二极管，具有整流特性。（肖特基接触）
  • 半导体的掺杂浓度高，空间电荷区的厚度就会非常窄，电子可以借助量子隧道效应穿过薄薄的势垒，形成低阻值的欧姆接触。（欧姆接触）

隧道效应

• 一个很经典的比喻：现在我推着一个球翻过一个山，按照经典力学的理论，我必须使用足够的力气，使得球获得足够的动能，才能翻过这座山（抵消势垒）。
  
• 在量子世界中，即使粒子们没有获得足够的动能，当它经过一个势垒时，部分粒子被反射回来，但是仍有部分粒子穿过了势垒，即类似通过了一个隧道。
• 在金属与半导体接触时，如果半导体高掺杂，空间电荷区薄，穿过的电子就越多，相当于有阻值的电阻，如果空间电荷区厚，穿过的电子有限，即形成单向导通性。