【基于各向异性湿法化学蚀刻的硅体微加工中凸角和凹角的全面综述】

最新推荐文章于 2024-11-11 16:09:03 发布

Insist_1122

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文章标签：科技

本文链接：https://blog.csdn.net/Insist_1122/article/details/129681258

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引言

基于湿式各向异性蚀刻的硅微加工是在不同方向硅晶片上制造独立（如悬臂）和固定（如腔）结构的重要技术，用于微机电系统（MEMS）的各种应用。{111}平面是各种各向异性蚀刻剂中最慢的蚀刻速率平面，因此，长时间的蚀刻总是会导致在制造结构的侧壁上出现{111}面切面。在湿式各向异性蚀刻中，在晶圆表面挤压的角和掩模图案的弯曲边缘发生下切。下切率取决于蚀刻剂的类型和掩模的边缘和角的形状。此外，如果直边不包含{111}平面，则下切发生在直边。{100}和{110}硅晶片在MEMS和微电子制造中应用最广泛。

实验

近年来，建立了一个简单的模型来描述各种湿式各向异性蚀刻剂[79,87]的{100}和{110}表面上的凹凸角的蚀刻特性。该模型是基于凸边缘切平面的蚀刻行为和悬垂键在蚀刻过程中的作用。有无限个平面可以通过台面结构的凸边。虽然有无限个平面可以通过这条边缘，但凸边缘的硅原子完全只属于该边缘的切平面，在图13中可以很简单地注意到。切平面的方向取决于凸角的角度（即锐角、右角和钝角）。

在各向异性蚀刻剂中，{110}和{100}平面的蚀刻率高于{111}平面，如图5所示。因此，由于包含凸脊原子的切面比{1原子的蚀刻率更高，因此下切从凸边开始。如图12所示，添加表面活性剂的TMAH的凸角下切明显减少。Si{100}的蚀刻率几乎与纯和添加表面活性剂的25 wt% TMAH相同(图12(c)，而当加入蚀刻剂时，{110}及其邻近平面的蚀刻率降低到相当低的水平。蚀刻速率变化的主要原因是蚀刻过程中表面活性剂分子的取向依赖性吸附。

通过傅里叶变换红外（FTIR）和椭圆偏振研究证实，{111}的最大吸附量为表面后跟{110}和{100}表面[135-137]。{100}的蚀刻速率几乎不受影响，因为{100}表面的表面活性剂分子层由于其吸附率较低，不能保护表面免受蚀刻剂的影响。在Si{110}的情况下，蚀刻速率的显著降低表明被吸附的表面活性剂分子层足以保护表面免受蚀刻剂的影响。由于{100}表面凸角处的切平面为{110}，表面活性剂分子在凸角上形成致密层，如图14所示。这种致密的层抑制了蚀刻剂与角落的硅原子发生化学反应，从而导致下切口的急剧减少。

图5使用硅半球[34]得到的氢氧化钾和TMAH溶液中蚀刻速率的轮廓模式的比较

图13{100}和{110}晶圆中的凹角和凸角示意图。

图12纯和表面活性剂的蚀刻特性

图14在添加表面活性剂的TMAH溶液中，表面活性剂对{110}平面凸角硅原子的吸附示意图

结果和讨论

从关系中可以明显看出，<110>条带的长度与其宽度无关。它取决于蚀刻深度d、主<100>光束的宽度（即W<100> 2）和凸角处的斜角α。因此，可以根据方便性选择<110>条的宽度。这种类型的补偿结构只有在末端的补偿几何形状仅被垂直{100}平面的横向蚀刻所消耗时，才能提供尖锐的边缘凸角。然而，实际上，垂直蚀刻轮廓的下切轮廓被<110>条带扭曲，导致凸角底部出现突出的肿块，这在图37的SEM图像中可以看出。如果继续蚀刻去除底部额外的质量，严重的下切从主凸角开始，这降低了台地的形状，如图37(d).所示此外，这种方法沿着v型凹槽的长度需要更多的空间，因此只有在凹槽足够长时才适用。

结论

本文综述了基于各向异性湿化学蚀刻的硅体微加工技术的100和110定向硅晶圆凸角的制造方法。在拐角补偿方法中，回顾和讨论了用于形成受保护角的各种补偿几何形状。在这种技术中，空间要求和蚀刻凸角的合成形状是主要关注的问题。在{100}晶圆的情况下，<100>定向补偿设计在一定条件下提供了尖锐的边角，但其高空间要求是一个主要缺点，特别是当需要实现弯曲的凹槽时。为了减少空间要求，得到锐凸角，在蚀刻特性满足一定的要求下，采用叠加方形设计的补偿几何。方形设计需要更少的空间，但不适合实现尖角。在添加表面活性剂的TMAH溶液中，三角形设计是最佳选择。