用于化学分析应用的Si各向异性湿法化学蚀刻

引言

分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料，微加工作为使能技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。

这项工研究的主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂，用于柱、分裂器和几何图案的其他变体的微机械加工，这些几何图案可以用作构建更复杂的微机械加工结构的构造，所以具被用于化学分析的应用。

实验

质量保证

二氧化硅或硅、钠的蚀刻速率很小,蚀刻在透明溶液中进行，因此 可以对蚀刻过程进行可视化监控。通过向蚀刻溶液中加入少量的硅可以抑制 铝的蚀刻。祕、铭、钛和飽没有被蚀刻，但是铜、镣和锌被蚀刻。各向异性不如氢氧化钾好。蚀刻必须在惰性气体覆盖下进行，甚至I非常薄的二氧化硅层也足以防止蚀刻。因此，有必要在蚀刻之前立即将晶片 浸入氢氟酸中。

由于冃井是一种可疑的致癌物，并且在高浓度下，月井溶液具有爆炸性，因此: 安全性是一个关键问题。这可以通过用乙二胺代替来部分解决。

KO-H的主要缺点是它以可观的速率攻击二氧化硅掩模,因此需要SigNa掩模，特别是 如果要使用深度蚀刻。当试图将片上电路与微加工结构结合时，会产生额外的问题。“例如，铝 金属化