《炬丰科技-半导体工艺》用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：用于化学分析的Si各向异性湿法化学蚀刻
编号：JFKJ-21-928
作者：炬丰科技

分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c：晶体硅作为起始材料，微加工作为使技术，湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中，我们回顾了硅微加工，并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案的各向异性湿式化学蚀刻。

本文主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂，用于微加工柱、分裂器和其他几何图案的变体，可用作构建更复杂的微加工结构的构建块，并可能用于化学分析应用。我们根据微加工，介绍各向异性湿式化学蚀刻的实验要求，并将详细讨论蚀刻上述图案类型后获得的形状。

有几个因素会影响蚀刻剂的选择，其中包括蚀刻成分、时间和温度、搅拌速率、光照条件、晶片质量、晶体取向和掺杂等。在本工作中，仅使用表1中列出的蚀刻成分和蚀刻温度测试了n掺杂晶片，并简要研究了搅拌的影响。此外，只有晶片被测试，因为晶片通常蚀刻得太慢，没有任何用途。

硅晶片：
本文中使用的硅晶片为n型掺杂（磷），标称厚度为376±25µm，电阻率为2-5Q.cm。在晶片上表面以1000-1200°C氧化生长一层二氧化硅(约1µm)。

典型蚀刻程序：
蚀刻剂在使用前充分混合。将蚀刻剂置于适当的蚀刻浴中，蚀刻浴保持在所需的蚀刻温度，将晶片浸入3%氢氟酸溶液中60秒，在60s时间周期结束时，将晶片从氟化氢