硅的各向异性湿法化学腐蚀的化学分析应用

引言

由于对大多数化学物质缺乏反应性，理想的力学性能和电蚀特性使掺杂单晶硅成为分析化学小型化的方便起点。在这种情况下，硅微加工可作为小型化技术和各向异性湿式化学蚀刻作为关键的微加工工具。这项工作的主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂用于柱、分裂器和其他几何图案，这些图案可用作构建更复杂的微加工结构的基石，可能用于化学分析应用。在下面的文章中，我们将回顾微加工，我们将介绍各向异性湿式化学蚀刻的实验要求，并将详细讨论上述图案蚀刻类型后获得的形状。

实验

各向异性蚀刻可以是掺杂剂依赖或独立的，对掩蔽材料有不同的选择性。表1列出了所选的各向异性湿式化学蚀刻剂的一些关键特性。所有各向异性湿蚀刻剂都含有无机或有机试剂的碱性水溶液。为方便起见，这些蚀刻剂主要可分为四类，各向异性蚀刻可能发生在应用偏置或干而不是湿蚀刻条件下。然而，由于这里没有使用这些，它们将不再进一步讨论。此外，由于对氢氧化钠-、氢氧化钾-、联氨和乙苯二胺基蚀刻剂进行了测试，我们将简要讨论它们的优缺点。（江苏英思特半导体科技有限公司）

二氧化硅或氮化硅的蚀刻率很小（表1），蚀刻在一个明确的解决方案中进行，从而使蚀刻过程的视觉监测成为可能。通过在蚀刻液中加入少量Si可以抑制Al的蚀刻，<66lBi、Cr、Ti和Pd，未蚀刻< 65l，但蚀刻Cu、Ni和Zn。< 65l氢氧化钾的各向异性不如氢氧化钾好（表1）。蚀刻必须在一层惰性气体下进行，即使是一层非常薄的二氧化硅层也足以防止蚀刻。因此，在蚀刻前必须立即将晶片浸入氢氟酸中。

结果和讨论

氢氧化钾或氢氧化钠相比，没有K+或Na+污染的门MOS晶体管在使用EDP及其一些配方不攻击铝，因此，他们可以用来蚀刻晶片从前面即使有无保护键垫。这使得CMOS电子与微加工结构<2,74l的集成成为可能，从而为个人或便携式分析测量工具的开发提供了广泛的可能性。由于高浓度的B可以用作一个蚀刻停止（表1），一个无掩模的各向异性蚀刻步骤也成为可能。尽管EDP对二氧化硅掩膜的攻击非常缓慢（表1），并且已被证明是一种优秀的蚀刻剂，但它的解决方案老化迅速（75），需要频繁更换和增加成本。此外，它在室温下的波动、烟雾的毒性和废物处理的考虑限制了其广泛的适用性。（江苏英思特半导体科技有限公司）

 表1所选各向异性蚀刻剂的特征。

这些蚀刻剂的一个常见缺点是在蚀刻表面上的白色残留物<29·3142·4351·54l，金字塔形形成<29·39·51·57·61·62·66·70·71l。例如图2所示。虽然它们的形成取决于实验条件，但通常在使用深蚀刻时观察到它们。这是这项工作中一个重要的考虑，因为这样的蚀刻是必要的。一个例子是制造高长宽比的微通道，可用于运输化学物质从一个入口，到探测器，到一个出口。由于使用了不同的实验条件，很难进行进一步的相互比较。（江苏英思特半导体科技有限公司）

此外，各向异性蚀刻的机理还没有完全了解，尽管基于软件的蚀刻模拟器开始出现，<79-s4J蚀刻选择大多是基于启发式的。预测在晶片上蚀刻图案后获得的形状的困难导致了试错研究，其中的研究如下所述。一个例子是制造高长宽比的微通道，可用于运输化学物质从一个入口，到探测器，到一个出口。由于使用了不同的实验条件，很难进行进一步的相互比较。此外，各向异性蚀刻的机理还没有完全了解，尽管基于软件的蚀刻模拟器开始出现，<79-s4J蚀刻选择大多是基于启发式的。预测在晶片上蚀刻图案后获得的形状的困难导致了试错研究，其中的研究如下所述。（江苏英思特半导体科技有限公司）

 图2。晶圆片上的白色残留物（(a)和(b)）和金字塔（(c)和(d)）的例子。

结论

与MEMS和微电子学类似，实验条件已被发现对蚀刻图案的形状有显著影响。此外，晶圆上的图案的几何形状被发现是定义蚀刻形状的一个重要变量，在化学分析应用的微加工结构时应该被考虑在内。总的来说，可以得出结论，在获得可用的微加工结构之前，需要广泛的实验。尽管这种未来主义的扩展在智力上很有吸引力，而且在概念上也很简单，但它们的实现可能会被证明是具有挑战性的。（江苏英思特半导体科技有限公司）