湿法蚀刻MEMS硅腔的工艺控制

介绍

硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性，可以以高度可控和可重复的方式制备多种硅结构。因此，<100>硅的各向异性蚀刻是普通基于MEMS的技术中实现三维结构的关键过程。这些结构包括晶体管的v形凹槽、喷墨的小孔和MEMS压力传感器的隔膜。实际的反应机理尚不清楚，该过程的全面的物理和化学模型尚未建立。随着MEMS应用程序的不断增加，近年来人们对用来预测蚀刻表面剖面的过程建模、仿真和软件工具的兴趣越来越大。

在本研究中，测试晶片在稀TMAH中处理，以蚀刻类似于下图中所示的深空腔。由于从晶片表面蚀刻出的大表面面积，蚀刻副产品对过程控制提出了挑战，产生了不期望的结果。安装了在线传感器，以实时监测和控制化学物质的蚀刻副产物的浓度和质量。开发了算法来抵消这些因素的影响，并产生了一致的结果。其目的还是降低该过程的总体拥有成本(COO)。

实验

湿的化学过程是在一个全自动的GAMA™湿处理站上进行的，使用具有典型空腔结构的200毫米晶圆。使用TMAH作为碱性蚀刻剂，其浓度适合达到最大蚀刻剂速率。硅蚀刻过程是在阿克核粒子系统的