TVS相关

1.选型

VRWM（关断电压）：被保护电路的工作电压低于此值（VRWM≥电路上的工作电压），在这个电压下，TVS功耗小，不影响电路工作（高出线路最高工作电压10%）

IR：漏电流，也称待机电流，规定温度和最高工作电压条件下，流过最大电流，漏电流一般在VRWM下测量，某一型号，在规定范围内，模拟端口，影响AD采样值，越小越好

VBR（击穿电压）：通过电流IR时的电压，导通标志电压，从此点开始进入雪崩击穿（规定脉冲直流电流或接近发生雪崩电流条件下测得两端的电压，低压，漏电流大，测得电流选取较大，击穿电压高于用户正常工作电压，并留有一定余量）

VCL（钳位电压）：流过IPP电流时的电压（指在ESD冲击状态时通过TVS的电压），将电压尖峰钳制到的电位值，小于被保护电路的最大耐压值（最大瞬态电压），如被保护芯片耐压30V，VCL小于30V

IPP（峰值脉冲电流）：允许通过的最大脉冲峰值电流，超过此值，可能损坏

IPP和VC衡量抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数，相互联系，防雷钳位特性参考VC，相同型号，相同IPP下VC越小，钳位特性越好，耐脉冲电流冲击能力参考IPP，同型号，IPP越大，耐脉冲电流冲击能力越强

极性：单极性与双极性，两个方向的尖峰脉冲电压（浪涌电压），直流电源选单向，交流电源和通信接口选双向

结电容：寄生电容，功率相等，电压越低，电容值越大，工作频率越高，容值选最低，容值大容易造成信号丢包

封装：封装体积越小，功率也越小（TVS管芯片面积决定功率等级），业内封装有SOD-123，SMA/DO-214AC，SMB/DO-314AA，SMC/DO-214AB，DO-218A，R/P-600

浪涌功率Pppm：不同功率，保护时间不同，如600w（10/1000us），300W（8/20us）

步骤：

1.是否存在两个方向电压尖峰

2.电路正常工作电压，最大耐压值以此确定VRWM，VCL

3.评估电压尖峰频率，幅值，确定功率，从而确定封装

2.炸裂和正常失效原因

炸裂：开路失效模式，通过的电流过大

正常失效（损伤或烧毁）：

短路失效模式，瞬态脉冲能量大于TVS所能承受能量，过电应力损伤，远超过烧毁

短路失效模式，电性能退化，多次标准脉冲冲击后失效，长时间工作结温持续增大导致（器件内部结构变化，散热能力下降）过热烧毁

3.TVS放在二极管前后区别

 前好：以泄放为手段电路保护性器件，放前端入口（极快速度把两端间阻抗值由高阻抗变为低阻抗，吸收瞬间大电流，两端电压箝制在预定值）

后：防电源反接；负向电压浪涌，二极管损坏，TVS未起作用

前：防外部电源干扰（静电，脉冲群，浪涌）；负向电压浪涌，TVS雪崩后，残存一个电压，电压必须低于二极管反向击穿电压，二极管承受

前和后保险丝都靠后，放前面无法保护TVS，也保护不了

泄放类元器件：靠前，正面抵抗，血越厚越向前，有气体放电管，压敏电阻，TVS

气体放电管：过电流最大，防雷级别，动作慢，最靠前

压敏电阻：过大一些电流，自毁型，靠后

TVS：反应速度快，过电流小，放最后，吃一些快速，能量低的危害，如静电

再往后是保险丝，防反接二极管，电阻电容，滤波电路等，负能量自己存储器件

4.结电容影响

结电容对信号传输有一定影响，如CAN接口推荐结电容小于100pF的TVS管；高速IO端口保护，过大结电容影响信号质量；通信线路中关注结电容

电容量由TVS雪崩结截面决定，特定1MH频率下测得，容值大小与TVS电流承受能力成正比，容值太大影响信号衰减，容值是数据接口电路选用重要参数，频率越高回路，干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，高频回路选择电容尽量小（LCTVS，低电容TVS，电容不大于3pF）,对电容要求不高的回路，可高于40pF

5.设计余量

功率余量在30%以上

3.3V单片机极限电压是3.7V，用3.7V或4V误差比较大，用5V