105N10LSF-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

105N10LSF-VB是一款DFN8(5X6)封装的单路N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及2.5V的阈值电压（Vth）。其在VGS=4.5V时的导通电阻RDS(ON)为12.36mΩ，在VGS=10V时为9mΩ，最大漏极电流ID为65A。采用槽沟技术（Trench）制造。

产品简介：
105N10LSF-VB是一款高性能的单路N沟道MOSFET，具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适用于要求中等功率和可靠性的应用场合。其DFN8(5X6)封装设计使其适用于小尺寸应用，并具有良好的散热性能，广泛应用于各种领域和模块中。

详细参数说明：
- 封装：DFN8(5X6)
- 结构：单路N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：100V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±）
- 阈值电压（Vth）：2.5V
- RDS(ON)（导通电阻）：12.36mΩ @ VGS=4.5V，9mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：65A
- 工艺技术：槽沟技术（Trench）

应用示例：
1. 电源模块：用于中等功率电源管理模块和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 电动工具：用于中等功率的电动工具的电机驱动。
3. 汽车电子：用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
4. 工业控制：用于工业自动化和机械设备控制中的功率开关。

这些示例表明，105N10LSF-VB适用于需要中等电压和电流驱动的各种中功率应用领域和模块，特别适合于小尺寸和高功率密度要求的应用场合。