17P06-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

### 17P06-VB TO252 MOSFET 产品简介

**产品简介：**

VBsemi的17P06-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用了先进的沟槽技术制造。它具有较低的导通电阻（RDS(ON)），适用于100V的漏源电压（VDS），可提供稳定可靠的功率开关性能。

### 17P06-VB TO252 MOSFET 详细参数说明

**封装类型：** TO252  
**配置：** 单N沟道  
**漏源电压 (VDS)：** 100V  
**栅源电压 (VGS)：** 20（±V）  
**阈值电压 (Vth)：** 1.8V  
**导通电阻 (RDS(ON))：** 
   - 57mΩ@VGS=4.5V
   - 55mΩ@VGS=10V
**漏极电流 (ID)：** 25A  
**技术：** 沟槽

### 17P06-VB TO252 MOSFET 适用领域和模块

**应用领域：**

1. **电源逆变器：** 
   - 由于其低导通电阻和高漏源电压特性，适用于各种电源逆变器中，可提供高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动汽车控制：**
   - 适用于电动汽车的电机控制和电池管理系统，能够支持高功率和高效能的电动汽车运行。

3. **工业自动化：**
   - 在工业控制系统中，可用于各种功率开关模块，如变频器和伺服驱动器，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。

4. **照明应用：**
   - 适用于LED照明驱动器和其他高功率照明应用中的功率开关模块，提供高效能的照明解决方案。

5. **电源管理系统：**
   - 可用于各种电源管理系统中的功率开关模块，支持高效的能量管理和稳定的电源输出。

通过这些应用实例，可以看出17P06-VB TO252 MOSFET在多个领域和模块上都能提供高效能的功率开关解决方案，满足不同应用场景的需求。