DDR ECC的使用

本文详细介绍了DDR内存中的ECC(ErrorCorrectingCode)功能,包括ECC_STATUS、ECC_ON_OFF控制、错误计数器、错误发生地址和数据存储寄存器,以及用于测试错误纠正的FI_D0至FI_ECC寄存器。着重讨论了这些寄存器的用途和操作注意事项。

摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >

DDR ECC的使用

DDR注入错误测试
DDR先刷一遍0,ECC_STATUS,ECC_ON_OF初始化为0,数据注入错误,写DDR,读DDR。
ECC_STATUS
该寄存器保存有关可纠正和不可纠正错误发生的信息。状态位独立地设置为1,表示每种错误类型的第一次发生。状态位可以通过向相应的位位置写入1来清除,但不能通过寄存器写入设置为1。ECC状态寄存器独立于ECC使能中断寄存器运行。
在这里插入图片描述

ECC_EN_IRQ
该寄存器确定ECC状态寄存器中的CE_STATUS和UE_STATUS位的值是否触发中断输出信号。如果CE_EN_IRQ和UE_EN_IRQ都被启用,则中断信号的值为CE_STATUS和UE_STATUS位之间的逻辑或。
在这里插入图片描述

ECC_ON_OF
ECC开/关控制寄存器允许应用程序启用或禁用ECC检查。设计参数C_ECC_ONOFF_RESET_VALUE确定ECC的启用/禁用设置的复位值。当禁用时,读取操作的ECC检查被禁用,但写入操作的ECC生成仍然有效。
在这里插入图片描述

CE_CNT
该寄存器计算可纠正错误发生的次数,可以使用寄存器写入清除或预设为任何值。当计数器达到最大值时,它不会翻转,而是停止递增并保持在最大值。计数器的宽度由C_CE_COUNTER_WIDTH参数定义,固定为8位。
在这里插入图片描述

CE_FFA[31:0]
该寄存器存储第一次发生可纠正错误的访问的地址(位[31:0])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,此寄存器重新启用,以存储下一个可纠正错误的地址。复位后启用失败地址的存储。
在这里插入图片描述

CE_FFA[63:32]
注意:如果 C_S_AXI_ADDR_WIDTH < 33,那么这个寄存器将不会被使用。
这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的地址(位[63:32])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器会重新启用,以存储下一个可纠正错误的地址。在复位后启用失败地址的存储。
在这里插入图片描述

CE_FFD[31:0]
这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的(已纠正的)失败数据(位[31:0])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器会重新启用,以存储下一个可纠正错误的数据。在复位后启用失败数据的存储。
在这里插入图片描述

CE_FFD[63:32]
这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的(已纠正的)失败数据(位[63:32])。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器会重新启用,以存储下一个可纠正错误的数据。在复位后启用失败数据的存储。
在这里插入图片描述

CE_FFE
这个寄存器存储了第一次出现可纠正错误的访问的ECC位。当ECC状态寄存器中的CE_STATUS位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个可纠正错误的ECC。复位后启用失败ECC的存储。
表1-34描述了当DQ_WIDTH = 72时寄存器位的使用情况。
在这里插入图片描述

UE_FFA[31:0]
这个寄存器存储了第一次发生不可纠正错误的访问的地址(位[31:0])。当 ECC 状态寄存器中的 UE_STATUS 位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的地址。复位后启用失败地址的存储。
在这里插入图片描述

UE_FFA[63:32]
注意:如果 C_S_AXI_ADDR_WIDTH < 33,这个寄存器是未使用的。
这个寄存器存储了第一次出现不可纠正错误的访问的地址(位[63:32])。当 ECC 状态寄存器中的 UE_STATUS 位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的地址。复位后启用失败地址的存储。
在这里插入图片描述

UE_FFD[31:0]
这个寄存器存储了第一次出现不可纠正错误的访问的(未纠正的)失败数据(位[31:0])。当 ECC 状态寄存器中的 UE_STATUS 位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的数据。复位后,启用失败数据的存储。
在这里插入图片描述

UE_FFD[63:32]
这个寄存器存储了第一次发生不可纠正错误的访问的(未纠正的)失败数据(位[63:32])。当ECC状态寄存器中的UE_STATUS位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的数据。复位后启用失败数据的存储。
在这里插入图片描述

UE_FFE
这个寄存器存储了第一次发生不可纠正错误的访问的ECC位。当ECC状态寄存器中的UE_STATUS位被清除时,这个寄存器重新启用,以存储下一个不可纠正错误的ECC。复位后启用失败ECC的存储。
表1-42描述了当DQ_WIDTH = 72时寄存器位的使用情况。
在这里插入图片描述

FI_D0
这个寄存器用于在写入内存的数据(Bits[31:0])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字0或Bits[31:0]),而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清零。
该寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,当C_ECC_TEST = “ON” 或 ECC_TEST_FI_XOR = “ON” 且 ECC = “ON” 时才会实现。
注入故障应该在软件中的一个关键区域进行;也就是说,写入这个寄存器和随后写入内存的操作不能被中断。
在这里插入图片描述

必须特别考虑 FI_D0、FI_D1、FI_D2 和 FI_D3,以便仅引入单一错误条件。
FI_D1
这个寄存器用于在写入内存的数据(位[63:32])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字1或位[63:32])的后续写入内存的数据,而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清零。这个寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,如果C_ECC_TEST = “ON”或ECC_TEST_FI_XOR = “ON”且ECC = “ON”,才会实现。注入故障应该在软件中的一个关键区域执行;也就是说,写入这个寄存器和后续写入内存的操作不能被中断。
在这里插入图片描述

FI_D2
注意:这个寄存器只有在DQ_WIDTH = 144时才使用。
这个寄存器用于在写入内存的数据(位[95:64])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字2或位[95:64])的后续数据写入内存,而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清零。
这个寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,当C_ECC_TEST = “ON”或ECC_TEST_FI_XOR = “ON”且ECC = “ON”时才实现。
注入故障应该在软件中的一个关键区域执行;也就是说,写入这个寄存器和随后的写入内存的操作不能被中断。
在这里插入图片描述

特别注意,在 FI_D0、FI_D1、FI_D2 和 FI_D3 之间必须给予特殊考虑,以便只引入单个错误条件。
FI_D3
这个寄存器只有在DQ_WIDTH = 144时才使用。
这个寄存器用于在写入内存的数据(位[127:96])中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换相应的数据位(字3或位[127:96])的后续写入内存的数据,而不影响写入的ECC位。注入故障后,故障注入数据寄存器会自动清除。
该寄存器只有在C_ECC_TEST = “ON”或ECC_TEST_FI_XOR = “ON”且ECC = “ON”时,在Vivado Design Suite中的MIG设计中才实现。
注入故障应该在软件中的一个关键区域进行;也就是说,写入这个寄存器和随后写入内存的操作不能被中断。
在这里插入图片描述

FI_ECC
这个寄存器用于在写入内存的生成的ECC中注入错误,可以用于测试错误纠正和错误信号。寄存器中设置的位会切换下一次写入内存的数据的相应的ECC位。注入故障后,故障注入ECC寄存器会自动清零。
这个寄存器只有在Vivado IP目录中的MIG设计中,C_ECC_TEST = “ON” 或 ECC_TEST_FI_XOR = “ON” 且 ECC = “ON” 时才会实现。
注入故障应该在软件中的一个临界区域进行;也就是说,写入这个寄存器和随后的写入内存的操作不能被中断。
表1-48描述了当DQ_WIDTH = 72时,寄存器位的用法。
在这里插入图片描述

### Vivado 中 DDR ECC 测试方法 对于希望在 Vivado 中执行 DDR ECC (Error Correction Code) 测试的情况,具体操作取决于所使用开发板及其支持的功能。针对 VCK190 开发板,在 Vivado 2021.2 版本中,默认情况下 DDR4-DIMM 的 DQ 宽度被设置为 64 位,并且不启用 ECC 功能[^2]。 为了能够使用 DDR4-DIMM 上的 ECC 功能,需要手动调整 board file 文件来允许更宽的数据路径以及激活 ECC 支持。这通常涉及到编辑 XDC (Xilinx Design Constraints) 文件中的约束条件,确保这些更改不会违反物理设计规则或影响系统的稳定性。 一旦完成了必要的配置变更并重新编译项目之后,可以通过以下方式验证 ECC 是否正常工作: - **创建测试模块**:编写一段简单的 Verilog 或 VHDL 代码用于向 DDR 存储器写入特定模式的数据流,随后读回数据并与原始值对比检查是否有任何错误发生。 - **利用 IP 核**:Xilinx 提供了多种可用于内存接口生成和调试的 IP 核,比如 MIG (Memory Interface Generator),该工具可以帮助快速搭建起具备 ECC 能力的记忆体控制器实例,并提供相应的测试平台以便于评估性能指标。 - **运行自检程序**:某些高级别的 FPGA 设计可能已经包含了内置诊断特性,可以直接调用这类功能来进行全面性的健康状态扫描,包括检测纠正单比特翻转事件的能力。 ```verilog // 示例:简单Verilog代码片段展示如何访问DDR存储器 module ecc_test ( input wire clk, output reg [31:0] data_out, // ...其他信号定义... ); always @(posedge clk) begin // 向DDR发送命令序列以触发ECC校验逻辑 // ... // 获取返回的结果并处理潜在的纠错情况 if(/* 错误标志 */) begin $display("Detected and corrected an error!"); end data_out <= /* 来自DDR的实际输出 */; end endmodule ``` 值得注意的是,上述过程假设读者具有一定的硬件描述语言编程经验以及熟悉基本的设计流程;而对于具体的实施细节,则需参照官方文档获取最准确的信息指导。
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值