开关电容的电荷注入-时钟馈通和电荷注入

本文探讨了MOS开关中影响采样速度和精度的两个主要问题:时钟馈通和电荷注入。时钟馈通源于栅端电压耦合引入的误差,而电荷注入则是因为大尺寸管子导致的沟道电荷注入。为解决这些问题,提出了虚拟开关、互补开关和差动采样开关等策略,以提高信号采样的准确性和速度。

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虚拟开关(DS短接)以消除时钟馈通和电荷注入
参考:开关电容的电荷注入

对MOS开关的研究表明,较大的W/L或较小的采样电容能得到较高的采样速 度。
在这-节中,我们会看到这些提高速度的方法会降低信号采样的精度 在开关断开的瞬间,在MOS器件工作时有一种机制会产生误差。我们分来研究每一 种效应。

时钟馈通现象来源于栅端的电压的耦合的电压引入的误差。

电荷注入来自由于大尺寸管子的沟道电荷的注入,注入数量为一半。
常见的解决方案包括有:
1、虚拟开关
2、互补开关
3、差动采样开关

电荷注入

来自由于大尺寸管子的沟道电荷的注入,注入数量为一半。

常见的解决方案包括有:
1、虚拟开关
2、互补开关
3、差动采样开关

转 | 关于电荷注入(Charge injection)
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解决方案

1、虚拟开关
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2、互补开关
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3、差动采样信号
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时钟馈通现象

时钟馈通现象来源于栅端的电压的耦合的电压引入的误差。
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