模拟电路设计（9）--- VMOSFET

MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培，漏源电压可以达到100V以上，但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点，使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后，VMOSFET的耐压可达到1000V以上，电流处理能力可达到几百安培。这得益于VMOSFET短沟道、高电阻漏极漂移区和垂直导电电路等特点。VMOSFET具有VVMOS和VDMOS两种结构，下面分别来说说。

VVMOS结构介绍

VVMOS结构示意图

如上图所示，这种结构是在N+衬底和N-漂移层上，先后进行P型区N+型区两次扩散，然后利用晶体硅的各向异性刻蚀技术，造出V型槽。槽的开口深度由开口宽度决定，槽壁和硅平面成54.7°。漏极从管子背面引出。这种结构改变了MOSFET的电流方向，不再是延表面水平方向流动，而是从N+区域出发，经过与表面成54.7°的N沟道流到N-漂移区，然后垂直的流动到漏极。

VDMOS结构介绍

VDMOS管结构示意图

VDMOS主要应用在大功率场景，其结构如上图所示，VDMOS的意思是垂直导电双扩