模拟电路设计(9)--- VMOSFET

MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培,漏源电压可以达到100V以上,但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点,使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后,VMOSFET的耐压可达到1000V以上,电流处理能力可达到几百安培。这得益于VMOSFET短沟道、高电阻漏极漂移区和垂直导电电路等特点。VMOSFET具有VVMOS和VDMOS两种结构,下面分别来说说。

VVMOS结构介绍

VVMOS结构示意图

如上图所示,这种结构是在N+衬底和N-漂移层上,先后进行P型区N+型区两次扩散,然后利用晶体硅的各向异性刻蚀技术,造出V型槽。槽的开口深度由开口宽度决定,槽壁和硅平面成54.7°。漏极从管子背面引出。这种结构改变了MOSFET的电流方向,不再是延表面水平方向流动,而是从N+区域出发,经过与表面成54.7°的N沟道流到N-漂移区,然后垂直的流动到漏极。

VDMOS结构介绍

VDMOS管结构示意图

VDMOS主要应用在大功率场景,其结构如上图所示,VDMOS的意思是垂直导电双扩

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