电容直流偏压特性的影响

一．直流偏压特性影响实例

最近梳理一些器件选型的时候，发现了自己的一个知识盲区：电容的直流偏压特性。之前，电容一直使用的比较粗糙，全靠经验和测试，容值不够就加大，很少会想想为什么。直到这次了解到电容直流偏压特性，又联想起多年前遇到的一个问题。当时在某个电路设计中，一开始用的1206封装/10uF/10%/50V的电容，未出现问题。在改板的时候，换成了0603封装/10uF/10%/25V电容，结果就频繁欠压报警。

按道理，参数表上两种封装电容的容量和容差都一样，表现也应该一样才对，实际表现却明显不同。如下图所示，蓝线为15V的供电电压监测波形。当负载刚启动时，15V会发生跌落。若去耦电容使用1206封装/10uF/10%/50V，电压最低跌落到13.4V，而使用0603封装/10uF/10%/25V电容，电压最低会跌落到10V左右。而需要15V供电的某器件，最小供电电压是11.1V，当低于这个电压，会欠压报警。

图1 15V电压跌落波形

当时寻思是两种电容ESR的差异导致的，也没仔细计算两种电容的ESR值。不可否认ESR会造成一定影响，在实际应用中，负载变化频率是8kHz，对应两种电容的ESR大致是，左边电容ESR（0603封装）大致是右边电容ESR（1206封装）的6倍。如果纯是ESR造成的，两者跌落电压不会只相差3V。

图2 电容ESR曲线

现在来看，电容的直流偏压特性才是主因，如图3所示，X7R电容，在直流偏压的影响下，容量可以恶化到只有原来的80%。

图3 直流偏压对电容容量的影响

二．直流偏压特性的发生原理

电容在不施加外部电场的情况下也会出现极化现象，这就是所谓的“自发极化”。自发极化是由材料的不活跃电场引起的，不活跃电场为电容器提供了初始电容。对电容器施加外部直流电压会生成电场，生成的电场会反转初始极化，然后将剩余的有源偶极子“锁定”或极化到位。极化与电介质内电场的方向有关。如图4所示，锁定的偶极子不会对交流电压瞬变作出反应；因此，有效电容低于施加直流电压前的值。

图4 直流电压偏置

三．影响电容直流偏压特性的因素

电容的这种偏压特性和封装、容值、材质有关。

1. 不同电容器尺寸的直流偏压对电容容量的影响

图5 村田电容与直流电压和电容器尺寸的关系

电容尺寸越大，直流偏压对容量的影响越小。这是因为电容外壳尺寸越大，导体之间存在的电介质就越多，而这会降低电场强度并减少锁定的偶极子数。这也是电解电容没有直流偏压特性一说法的原因。

2. 不同介质的直流偏压对电容容量的影响

图6 X5R电容直流偏压影响

图7 X7R电容直流偏压影响

图8 C0G电容直流偏压影响

不同电容介质，对电容直流偏压特性影响是不一样的。I类瓷片电容是非铁电材料介质，例如C0G和NP0。当对I类瓷片电容施加直流电压并提高工作温度时，电容的容值会保持稳定。但II类瓷片电容是铁电材料介质，例如X5R和X7R。此类瓷片电容具有较高的介电常数（K值），会随温度、电压、频率的变化以及时间推移的影响，电容容值并不稳定。