为什么需要对芯片的leakage功耗特别关注

最新推荐文章于 2025-04-15 12:31:32 发布
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本文探讨了芯片功耗的组成，重点分析了leakage power的重要性。leakage power是电路静态时的功耗，与频率无关，但随温度升高呈指数增长。当leakage功率占比较高时，可能导致芯片过热，进而引发恶性循环，严重影响芯片的稳定性和寿命。建议leakage功耗应控制在总功耗的15%以下。

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首先回忆一下

power 组成

power组成由dynamic power和leakage power组成。leakage power是指的电路在没有跳变时所产生的功耗。dynamic power则是指电路在跳变时产生的功耗。因为电路在跳变时其实也有一部分漏电，所以通常dynamic power指的是跳变时的总功耗减去leakage power。

dynamic power又是由internal power和swiching power所组成。以inverter为例，internal power指的是电路跳变，nmos和pmos同时导通的瞬间所消耗的电流所消耗电能。swiching power指的是对负载进行充放电所消耗的电能。

电路示例

internal power

当一个简单的cell的transition time非常长时，它的短路时间会变长，从而显著增加internal power。
而对于一个复杂的cell，它的internal power有可能主要组成部分是对内部电容的充放电所组成。

switching power

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