目录
tip1：mos管的结构及导通条件
mos管分为PMOS和NMOS
S：源极；D：漏极；G：栅极。
NMOS：Vgs＞Vth（导通压降），导通
PMOS：Vgs＜Vth（导通压降），导通
tip2：MOS管的导通电流与Vgs关系
导通电流与Vgs大小成正比，一般认为：＞4.5v时，成为饱和导通。
tip3：MOS管的寄生电容问题
由于MOS管s，g，d，p之间两两绝缘，即存在寄生电容。
当开关打开时，给电容充电到达Vcc电压，开关断开时，电容放电，二极管LED常亮。
tip4：MOS管的寄生二极管
如下图所示，PMOS和Nmos二极管方向不同。
（Nmos管的二极管指向漏极，Pmos管的二极管指向源极）
电流反灌：
用了一段时间，内部电池电压下降，MOS管断开后，由于外部电源供电，会通过二极管给内部电源充电。
解决办法：
mos管左侧加入一个mos的寄生二极管是反向的即可（MOS的ds极调换位置），如下图所示所示
tip5：mos管DS之间的电流可以双向导通
因为有寄生二极管，对于右面那个原理图：左侧开关关闭后，右面电源从上往下不会经过二极管
tip6：Nmos管做电源开关的注意事项
mos管导通后，s极电压慢慢上升，但是导通条件是mos管Vgs＞Vth，所以如果右面电压大，随着s极电压增大，Vgs＜Vth，mos管成为放大状态，成为一个大电阻，产生压降，形成钳位效应（一直是临界饱和电压大小，即s极电压）
解决办法：
右面的电压＋Vth＜左边的电压
tip7：推挽电路
两个mos管串联，形成半桥驱动电路（或者叫推挽电路），中间为输出电压Vout
tip8：mos开关电路的设计方法
如下图所示，左侧为mos管开关电路，右侧为P型三极管开关电路，两者相类似。
下图所示，左侧为Nmos管开关电路，右侧为N型三极管开关电路。
tip9：Pmos的开关电路设计方法
Pmos做开关时，通常s极接电源（因为导通条件是Vgs＜Vth）
低频的设计中100kHZ以下，gs之间的电阻为100k左右，mos管开关频率高，适当减小电阻到10k（电阻越小，开关效率越高，损耗越大）
下图为常用一种组合方式
下图为Nmos开关电路到Pmos开关电路的转变
下图是Nmos开关电路
tip10：Pmos防反接电路
（1）12v电压接入，经过二极管，降0.7v为11.3v
因为右侧MCU先未供电，则下面三极管未导通，之后电压经降压电路给MCU供电，三极管导通，接地，电阻分压，g极为分压之后的电压，小于s极电压（此时分压的电阻要设计好）才能刚好让Vgs＜Vth，满足mos管导通条件，闭合后二极管短路，11.3变为12v电压
下图所示
（2）第二种电路不受MCU控制
下图所示
tip11：mos管耐压
mos管导通时，Vds有最大值（最大流过电压有最大值）
扫一扫
1167
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
