硅片超精密清洗干燥技术

引言

随着LSI集成度的显著增加，各元件的断面构造从平面型向以沟槽（沟）构造的出现为代表的三维构造变迁。在以极限微细化为指向的LSI技术中，为了能够对应凹凸严重的复杂微细的构造表面，并且确保元件的可靠性和成品率，开发比以往更加显著地降低残留污染量的清洗、干燥技术变得越来越重要。即使在各种干燥化发展的今天，半导体器件表面的清洗，无尘化技术也被广泛采用使用超纯水及高纯度药品水溶液的所谓湿式清洗工艺，其重要性也很高。另外，湿处理后，为了除去附着在表面的水，必须进行干燥过程。清洗过程的最后工序是用除去杂质到极限的超纯水进行硅晶圆的水洗处理，其次必须有完全除去附着在晶圆上的超纯水的干燥技术。

清洗技术

清洗的目的是除去附着在晶圆表面上的有害污染物质，但同时也要求不对晶圆表面造成损伤。晶圆的清洗方法分为用高压水或刷子等手段机械地摩擦晶圆表面除去颗粒的机械清洗和将晶圆浸入清洗溶液中化学地除去污染物质的化学清洗两种，在此提及化学清洗。对器件特性产生重大不利影响的污染物质的代表性可分为粒子、有机物、金属类、自然氧化膜四大类。目前，湿式清洗对所有这些污染物质都有效，而且操作容易，所以专门采用。遗憾的是，在干式清洗的情况下，还没有确立有效去除所有这些污染物质的方法。一般来说，湿式清洗操作是单独使用酸、碱的水溶液或者与过氧化氢水（以下简称过水）混合使用。此时，为了提高清洗效果，有时会加温液体或加入超声波清洗。对于各种污染物质，需要选择符合目的的最合适的清洗系统，采用合适的方法。在这种情况下，满足以下条件是不可或缺的。

表1总结了现在半导体制造工艺中使用的清洗系统。表1（1） ～（3）的清洗系统主要是以除去有机物为目的进行的。ÿ