氧化镓-新一代半导体材料

在所有其他参数相同的情况下，对于电子应用，宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅)，因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如，与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比，氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。

带隙测量将电子推入导电状态需要多少能量；更大的带隙使材料能够承受更强的电场，因此与由带隙较低的材料组成的部件相比，组件可以更薄(对于给定的电压)、更轻、处理更多的功率。

具有较大带隙的半导体已经被开发用于硅不能提供足够功率密度以获得必要结果的应用。尤其是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在功率开关和/或功率放大器应用方面取得了巨大进步。除了这些公认的市场，用于自动驾驶汽车的激光雷达传感器和用于机器人的运动控制是其他新兴领域。SiC MOSFETs在手机应用中也很常见，GaN功率晶体管在数据中心服务器电源等600 V细分市场也有应用。

现在，宽带隙半导体在市场上的可用性和性能已经确定但是，就在碳化硅和氮化镓站稳脚跟的时候，另一种带隙更大的半导体出现了。宽带隙半导体氧化镓(Ga2O3)有望成为肖特基势垒二极管和场效应晶体管等功率转换系统的下一代器件。由宽带隙半导体制成的肖特基整流器具有快速的开关速度，对于提高电机控制器和电源的效率以及低正向压降和高温可操作性非常重要。

Ga2O3的带隙是4.4至4.9电子伏，取决于晶体结构，这代表着氮化镓和碳化硅的主要增长。当然，还有其他带隙更宽的半导体，如氮化铝(AlN)和金刚石，但到目前为止，这些只是学术界感兴趣的。

预计氧化镓在高功率和高频器件中特别有用。与其他半导体不同，它也可以