《炬丰科技-半导体工艺》晶圆背面研磨与湿式刻蚀工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶圆背面研磨与湿式刻蚀工艺

编号：JFKJ-21-339

作者：炬丰科技

1.前言

在许多 IC 工艺辅助配件进行蝴蝶研磨（背面研磨、研磨），使装片薄形化，例如：用巧克力蛋糕及智能封装等。到200~40μm。在珍珠打磨之后，有许多产品需要进行工艺，包括：离子布植（离子实现）、热处理（热处理）和钯金属（背面金属；BM）沉积等。晶移动研磨曲后产生的爆发和翘曲，如果会过大，就会扩展到锐化的区域。工艺之良率例如：胶膜去除（De-tap）、使用持取（Wafer Handling）和封装（Packaging & Assembly）等工艺，必须工艺之能及破