《炬丰科技-半导体工艺》半导体晶圆清洗系统

最新推荐文章于 2022-04-21 12:33:10 发布
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《炬丰科技-半导体工艺》中详细介绍了半导体晶圆清洗系统，采用含有稀释盐酸的去离子水溶液，结合megaSonic发生器进行清洗。随着半导体设备的小型化，清洁度要求愈发严格，该系统旨在提高清洁效果，确保设备正常运作。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体晶圆清洗系统

编号：JFKJ-21-296

作者：炬丰科技

半导体晶片被放置在一个清洗槽中从底部注入水箱和允许在上端溢出。一个解决方案

  溶液中含有大量稀释的盐酸去离子水。清洗槽其下部的megaSonic发生器，用于选择性应用megaSonic能量。油箱里有快速卸油阀底部使解决方案能够被快速跟踪转储通过一个或多个冲洗步骤，包括快速补充喷洒，然后倾倒漂洗水。

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先进的半导体晶圆清洗技术
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04-13 1261
一直以来，对于粒子的洗涤效果，以去除率（PRE:Particle Removal Efficiency）为指标进行讨论。通过使用由颗粒测量仪器测量的晶片上的颗粒数量、柱（清洁后）值和初始（清洁前）值来描述PRE。本指标对于讨论洗涤方法之间的差异是有效的，但是为了调查相同洗涤条件下的微粒子去除效果的粒径依赖性，需要在样品上下功夫。我们采用了一种方法，即使用微粒涂覆装置改变粒径，在同一晶片上只涂覆已知量的颗粒。 图1显示了2300 NPT-1器件示意图和在300mm晶圆上涂覆40、60、80、100、200nm
《炬丰科技-半导体工艺》单晶圆清洁工艺
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09-10 601
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶圆清洁工艺 编号：JFKJ-21-492 作者：炬丰科技 摘要 接触层是器件与铝或铜互连之间的第一个金属（通常是钨）连接层。根据器件类型（CMOS、存储器、光子器件）和技术节点，触点图案化正在不断发展以提高性能。在接触清洁步骤中，由于金属或敏感材料暴露于清洁化学品、标称尺寸的减小和纵横比的增加，我们面临着许多新的挑战。特别是，为 CMOS 器件（28 nm 和 14 nm 节点）和光子器件开发了新的接触清洁工艺，以便与金属栅极或锗光电二极管兼容。 在
高效晶圆背面清洁工艺
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03-03 685
摘要 已经为光刻前背面清洗工艺开发了具有全覆盖背面兆声波的单晶片清洗系统。背面颗粒去除效率 (PRE)仅使用 DIW 即可在 ≥65nm 处实现大于 95% 的 Si3N4 颗粒，这表明使用全覆盖兆声波增强了较小和较大颗粒尺寸的颗粒去除。>99% 的 PRE 值是通过使用稀释的 HF/SC1 化学物质和通过使用 SC1 增加兆声波功率而获得的。如果需要，单晶片清洁系统允许在正面分配 DIW，以在将化学物质施加到背面时最大限度地减少晶片器件侧的化学接触。蚀刻速率测试证实没有化学物质流到晶片的正面。现场
《炬丰科技-半导体工艺》半导体的清洗过程
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08-20 182
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：半导体的清洗过程 编号：JFKJ-21-247 作者：炬丰科技 本发明大体上属于制造半导体器件的工艺，特别是用于清洁激光刻制半导体模具表面的工艺。 导体器件制造的一个基本操作是将在半导体晶圆上批量制造的导体单元分离成通常称为芯片或芯片的独立单元的过程。传统上，这种分离是通过在半导体晶圆的表面划上一个矩形角网格来实现的，这样每个矩形就描绘了一个特定半导体单元的外围。在晶圆表面施加机械压力，使其沿刻线发生断裂，从而完成分离成单个半导体单元或晶圆。这种...
硅晶圆表面金属在清洗液中的行为
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引言 随着器件的集成化，对Si晶片的要求也变得更加严格，降低晶片表面的金属污染变得重要，这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛使用，为了提高表面的清洁度，进行了清洗法的改良，降低使用的超纯水、药品中的污染等方面的努力。今后为了进一步提高表面清洁度，有必要比以前更多地减少工艺中的污染，但这并不是把污染金属集中起来处理，而是考虑到每个元素在液体中的行为不同，在本文中，介绍了关于Si晶圆表面金属在清洗液中的行为的最近的研究例子。 RCA洗
《炬丰科技-半导体工艺》晶圆边缘清洗工艺
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09-03 243
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《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
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《炬丰科技-半导体工艺》 半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论 编号：JFKJ-21-1075 作者：炬丰科技 引言 半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺。清洗工艺在半导体晶片工艺的主要技术之前或之后进行。晶片上的颗粒和缺陷是在超大规模集成电路制造过程中产生的。控制硅片上的颗粒和缺陷是提高封装成品率的主要目标。随着更小的电路图案间距
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半导体硅片RCA清洗技术
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传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2　　1. SC-1清洗去除颗粒：⑴ 目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。⑵ 去除颗粒的原理：　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约0.6nm厚，其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。② SiO2的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而加快，其与H2O2的浓度无关。③ Si的腐蚀速度，随NH4OH的浓度升高而
半导体硅片SC-2清洗技术
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1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生，在酸性溶液中不易发生，并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经SC-1洗后虽能去除Cu等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是Al）问题还未解决。2 硅片表面经SC-2液洗后，表面Si大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。3 由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。a.实验表明：　　据报道将经过SC-2液，洗后的硅片分别放到添加Cu的DHF清洗或HF+H2O2清洗液中清洗、硅片表面的Cu浓度用DHF液洗为1014 原子/cm2，用HF+H2O2洗后为1010 原子/cm2。即说明用HF+H2
下一代半导体表面清洁技术
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新型晶圆清洗
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本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术，研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力，能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全、健康(ESH)效益、技术状态和供应商信息的可用信息。 将晶片暴露于少量(约1克)无水三氧化硫气体中，然后自动转移到一个单独的室中，在那里用去离子水冲洗并甩干(见图1)，三氧化硫室的条件要求温度通常低于100°C，且环境干燥，光致抗蚀剂在暴露于三氧化硫期间没有被去除，而是被化学改性，一旦磺化，抗蚀剂可溶于水，并在去离子水冲洗过程中被去除，该工具目前是单晶片
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hlkn123的博客
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引言 近年来，由于以移动性为中心的生活方式，将其处理的大数据作为云，物联网、机器人领域开始显示出活跃的面貌。这种新的技术创新也对半导体产业业务产生了巨大的影响，因此需要符合目的的产品。因此，作为电子介质的半导体芯片的结构也变得复杂，包括从微粉化一边倒到三维化，半导体制造工艺也变得多样化。其中使用的材料也被迫发生变化，用于制造的半导体器件和材料的技术革新还没有停止。为了解决作为半导体制造工艺之一的CMP技术需要更严格地管理半导体芯片中使用的材料的变化、平坦度和缺陷的问题，尽管用于嵌入和平坦化的基本工艺保持不
半导体等离子清洗机在晶圆清洗上是如何应用的
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《炬丰科技-半导体工艺》晶圆表面金属粘附机理和清洗方法
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：晶圆表面金属粘附机理和清洗方法 编号：JFHL-21-1040 作者：炬丰科技 引言 随着器件的高集成化，对高质量硅晶片的期望。高质量晶片是指晶体质量、加工质量以及表面质量优异的晶片。此外，芯片尺寸的扩大、制造成本的增加等问题受到重视，近年来，对300mm晶片的实用化进行了研究。随着半导体器件的高集成化，硅晶圆表面的高清洁度化成为极其重要的课题。在本文中，关于硅晶圆表面的金属及粒子的附着行为，对电化学的、胶体化学的解析结果进行解说，并对近年来提出的清洗方法进行介绍。 现
《炬丰科技-半导体工艺》Megasonic剥离去胶工艺技术
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：Megasonic剥离去胶工艺技术 编号：JFKJ-21-169 作者：炬丰科技 摘要 集成电路设计制造和IC封装构成了这三者集成电路产业的支柱。随着芯片技术的发展集成和高密度电路封装，更多在集成电路中采用了光刻技术行业。大家都知道，光刻胶的用途溶出是去除光刻胶残留、颗粒金属来自于图案结构。光刻胶溶出工艺是一个重要的因素在光刻后的工艺中起着关键的作用产品的成品率。光刻胶残留会造成设备层故障，甚至损坏设备层。常规湿剥离、浸渍和单次腔室剥离广泛用于...
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本系统主要针对计算机相关专业的正在做毕业设计的学生和需要项目实战练习的学习者，可作为毕业设计、课程设计、期末大作业。本系统主要针对计算机相关专业的正在做毕业设计的学生和需要项目实战练习的学习者，可作为毕业设计、课程设计、期末大作业。本系统主要针对计算机相关专业的正在做毕业设计的学生和需要项目实战练习的学习者，可作为毕业设计、课程设计、期末大作业。本系统主要针对计算机相关专业的正在做毕业设计的学生和需要项目实战练习的学习者，可作为毕业设计、课程设计、期末大作业。
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