《炬丰科技-半导体工艺》硅晶片清洗技术的演变

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅晶片清洗技术的演变

编号：JFKJ-21-250

作者：炬丰科技

摘要  

  晶圆表面的纯度是成功制造超大规模集成电路和超大规模集成电路的必要条件。晶圆清洗的化学成分基本没有变化，是基于热碱性和酸性过氧化氢溶液，这一过程被称为“RCA标准清洗”。 这仍然是在行业中使用的主要方法。 改变的是它与优化的设备的实施:从简单的浸泡到离心喷雾， megasonic技术，和允许同时去除污染物薄膜和颗粒的封闭系统处理。 正在研究利用异丙醇蒸汽或Uslow-puir从热去离子水中干燥硅片的改进。 几种替代清洁方法也正在测试中，包括胆碱溶液、化学蒸汽蚀刻和紫外线/臭氧处理。 

污染物的类型、来源和影响  

  硅片表面的杂质主要以三种形式出现:(i)污染膜，(ii)离散粒子，(iii)在硅片加工过程中没有实际意义的吸附气体。 表面污染物膜和粒子可分为分子化合物、离子材料和原子物种。 分子化合物大多是润滑油、润滑脂、光刻胶、溶剂残留物。

基于过氧化氢的清洗过程  

解决方案  

  第一个系统地开发裸露或氧化硅晶圆清洗过程是基于一个两步氧化与过氧化氢和络合处理解决方案:(i)碱性混合物在高pH值紧随其后(ii)在低pH值。  

三次采油的清洗程序     略