《炬丰科技-半导体工艺》GaN发光二极管衬底材料的研究进展

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN发光二极管衬底材料的研究进展

编号：JFKJ-21-311

作者：炬丰科技

摘要

  GaN基发光二极管作为第三代照明器件在近年来发展迅猛. 衬底材料作为LED制造的基础, 对器件制备与应用具有极其重要的影响. 本文分析综述了衬底材料影响LED器件设计与制造的关键特性 (晶格结构、热胀系数、热导率、光学透过率、导电性), 对比了几种常见衬底材料 (蓝宝石、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧 化镓) 在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面的研究进展, 并对几种材料的发展前景做出了展望.

关键词: 发光二极管, 氧化镓, 蓝宝石, 碳化硅

引言

  自从1993年InGaN蓝光发光二极管(LED) 投入市场以来, LED发光效率实现了质的飞跃. 以 GaN为代表的III族氮化物半导体材料成为固态照 明领域最具前景的材料, 为高效率LED白光照明 的商业化发展提供了可能。

 LED的制备与影响其性能的关键因素以及衬底材料对其的影响

  表征LED性能首要考虑的参数有: 发光效率与光通量 , 其与LED 工作时的正向电压、正向电流 , 以及内量子效率)、外量子效率、光提取率的关系为

几种衬底材料的特性与应用现状

蓝宝石    略

碳化硅

 

单晶硅 略

总结与展望

  衬底材料所需性能是由LED器件的使用性能 决定的. 高功率、高光效是LED器件发展的必然方 向. 而衬底材料作为LED的核心——有源层结构 生长的基础。