《炬丰科技-半导体工艺》化学湿法生长GaN基发光二极管的研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：化学湿法生长GaN基发光二极管的研究
编号：JFKJ-21-987
作者：炬丰科技

引言

氮化镓发光二极管是异质外延生长在不同的衬底上，如蓝宝石和碳化硅，因为生长块状氮化镓有困难。蓝宝石是最常用的衬底，因为它的成本相对较低。然而，由于外延氮化镓薄膜和蓝宝石衬底之间晶格常数和热膨胀系数的巨大失配，在平面蓝宝石衬底上生长的氮化镓导致高密度的位错缺陷(10±10厘米)。
我们研究了氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)对性能增强的反应机制，其生长在化学湿蚀刻图案蓝宝石衬底(CWE-PSS)上，该二极管在顶部表面具有v形坑特征。根据温度依赖的光致发光(PL)测量和测量的外部量子效率，该结构可以同时提高内部量子效率和光提取效率。

实验

蓝宝石衬底上的蚀刻图案是排列的六方孔阵列。在这里，我们使用硫酸和磷酸的混合溶液(HSO：HPO)在300℃的工作温度下蚀刻蓝宝石基底。CWE-PSS的制造细节可以在其他地方找到。图1(a)中显示了CWE-PSS的俯视图扫描电镜图像。单个孔的直径为3m，晶格常数为7m。蚀刻孔深度为0.5m，中心为三角形平面，被三个平面面包围。然后在低压金属-有机化学气相沉积CWE-PSS上培养LED结构。三甲基镓(TMGa)、三甲基钠(TMIn)和氨(NH)分别作为Ga、In、N前体，双环戊二烯镁(CpMg)和硅烷(SiH)作为p型和N型掺杂源。
本方法采用了两种不同的p型氮化镓包覆层生长温度，1050℃和800℃。在氮化镓层的低生长温度下(即800℃)下，在LED表面的上表面可以看到大量的v形凹坑。在这些p型覆层的生长过程中，在不同的生长温度下调整CpMg流量，使所有样品中相同的Mg掺杂浓度约为3×1017cm-3。发光二极管是传统的发光二极管，其生长在平面蓝宝石衬底上ÿ