《炬丰科技-半导体工艺》半导体器件制造方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体器件制造方法

编号：JFKJ-21-344

作者：炬丰科技

摘要

  一种制造包括具有微型LED的发光器件的显示面板的方法包括提供具有表面区域的多个施主晶片并形成覆盖表面区域的外延材料。外延材料包括n型区、包括至少一层覆盖n型区的发光层的有源区和覆盖有源层区的p型区。多个施主晶片被配置为发射不同颜色的发射。多个施主晶片上的外延材料被图案化以形成多个管芯，其特征在于一对管芯之间的第一间距小于设计宽度。至少一些管芯被选择性地从多个供体晶片转移到公共载体晶片，使得载体晶片配置有不同颜色的发光LED。

 

 

背景

  基于宽带隙 III-V 族半导体材料（如氮化镓 (GaN)）的器件在我们的现代世界中发挥着重要作用。它们基本上在我们所有的电子设备中都发挥着关键作用，并且在我们每天依赖的几乎所有机器和设备中都发挥着重要作用。此类半导体器件的示例包括诸如发光二极管和激光二极管之类的发光器件、诸如肖特基二极管、pn二极管、双极结型晶体管、场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管之类的电子器件、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管等等，以及诸如太阳能电池之类的光吸收器件。形成这种最高性能的 GaN 器件通常需要具有最小缺陷密度和最高晶体质量和纯度的外延结构。

总结

  本发明的实施例提供了基于在天然含镓和氮的衬底例如GaN衬底上假晶生长的高质量含镓和氮的外延材料制造半导体器件的方法。通常，这些器件是使用在含镓和氮的衬底上外延沉积半导体器件层，然后在外延衬底和上覆外延材料上进行处理步骤来制造的。通过使用诸如光电化学(PEC)蚀刻的选择性蚀刻工艺与结合工艺相结合，至少一部分外延材料被转移到载体晶片。随后，带有键合外延材料的载体晶圆经过后续加工步骤，形成半导体器件，包括激光和发光二极管等光学器件，或二极管或晶体管器件、肖特基二极管、pn二极管、晶体管、场效应晶体管等电子器件、双极结型晶体管、高电子迁移率晶体管或太阳能电池器件。在其他实施例中，在转移到载体晶片或集成电路之前，在外延材料中完全或部分地形成半导体器件。在其他实施例中，使用选择性接合和蚀刻工艺在公共载体上配置不同类型的半导体器件以形成集成器件。