《炬丰科技-半导体工艺》铝的选择性刻蚀

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：铝的选择性刻蚀

编号：JFKJ-21-346

作者：炬丰科技

摘要

  在本研究中，使用氢氧化钾 (KOH) 对(100) 取向 p 型硅晶片的浓度、温度和时间的不同实验蚀刻条件进行了一系列硅晶片对比蚀刻实验。除了基本的蚀刻条件外，浸入晶片的位置对蚀刻过程也有不可预测的影响。这可能归因于浸没的晶片表面与搅拌蚀刻溶液的流动模式之间的相对接触位置。

  表面形貌分析表明，晶片的特定位置，相对于蚀刻剂的流动，可以导致更高质量的均匀粗糙（100）晶面。蚀刻样品的最低反射率是通过使用反射率测量来确定的。研究表明，除了常规蚀刻条件外，容易被忽视的蚀刻位置也是对蚀刻结果有显着影响的潜在条件；这可能成为 KOH 蚀刻硅的主要条件。

目标

  为了制造高效率的晶体硅太阳能电池，应尽量减少表面光反射，并形成均匀粗糙的硅表面，显着降低表面反射。均匀粗糙的结构包括随机粗糙和倒粗糙的地形。与随机粗糙相比，倒粗糙是一种更有效的单侧光捕获几何结构，因为它具有出色的内部响应以及路径长度增强和减少的前表面反射率。这可以改善太阳能电池中的短路电流 。

背景资料

  通过图案化的Si 表面的各向异性蚀刻形成倒光滑图案。碱金属氢氧化物（例如 KOH 或 NaOH）是用于 Si 各向异性蚀刻的最常见蚀刻剂。然而，由于碱性溶液会导致金属离子污染，在后续清洗中很难去除，因此有必要研究不引入金属离子的有机碱性蚀刻剂，以便它们能够用于 IC 制造兼容。

 硅基板的湿法各向异性蚀刻通常用于微机械制造不同的 MEMS 结构，包括膜、“凸台型”特征、悬梁、地震质量等