《炬丰科技-半导体工艺》超宽带隙半导体

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超宽带隙半导体

编号：JFKJ-21-407

作者：炬丰科技

摘要

  超宽带隙 (UWBG) 半导体的带隙明显宽于 GaN 的 3.4 eV，代表了半导体材料、物理、器件和应用领域一个令人兴奋且具有挑战性的新研究领域。由于器件性能的许多品质因数与带隙呈非线性关系，因此人们早就知道这些半导体在高功率和 RF 电子学以及深紫外光电子学、量子信息和极端环境应用。然而，直到最近，UWBG 半导体材料，如高铝含量的 AlGaN、金刚石和 Ga2O3，才逐渐成熟，实现其一些诱人的优势是相对近期的可能性。

介绍

  现代半导体技术只有 70 年的历史，但已经改变了人类社会。这些技术的核心是半导体材料本身的物理特性：它们的基本电子和光学特性使电子、空穴和光子能够在各种设备架构和操作环境中相互作用和相互控制。

  在这个介绍性的第 1 节中，我们简要回顾了各种半导体技术所基