《炬丰科技-半导体工艺》多晶硅表面微加工技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：多晶硅表面微加工技术

编号：JFKJ-21-497

作者：炬丰科技

摘要

多晶硅表面微加工是一种制造微机电系统（MEMS）的技术，其基础是用于制造集成电路的制造方法和工具集。本文介绍了一种三级机械多晶硅表面微加工技术，并讨论了这种工艺复杂程度的优势以及影响器件制造和性能的问题。从历史上看，多层多晶硅制造的主要障碍与重复薄膜沉积和蚀刻产生的严重晶片形貌有关。将化学机械抛光 (CMP) 引入表面微加工在很大程度上消除了这些问题，并为器件复杂性开辟了重要途径。

多晶硅表面微加工的广泛使用的主要障碍，特别是微驱动机制，是与器件表面相关的问题。最后的讨论检查了几个后期和后加工过程绕过或直接缓解表面问题的潜力。

多晶硅表面微加工技术

本节仅粗略介绍多晶硅表面微加工，因为 Howe 和 Muller 提供了表面微加工的基本定义，而 Garcia 和 Sniegowski (1995) 提供了三级工艺的详细描述。对三级复杂性的参数 fbr 扩展遵循简要介绍。表面微加工使用微电子电路制造行业常见的平面制造技术来制造微机械设备。

工艺

工艺包括沉积和光刻图案化低应力多晶硅和牺牲二氧化硅的交替层。如图 1 所示，通过牺牲层蚀刻的通孔在机械层和基板之间提供了锚点。在工艺完成时，牺牲层，顾名思义，在氢氟酸 (HF) 中被选择性蚀刻掉，氢氟酸 (HF) 不会侵蚀多晶硅层。结果是一个结构系统由一层提供电气互连的多晶硅和一个或多个独立的机械多晶硅层组成，可用于形成从简单的悬臂梁到复杂的弹簧、连杆、质量元件和接头系统的机械元件.

通过化学机械抛光 (CMP) 进行平坦化

通过表面微加工技术批量制造集成齿轮连杆组件存在基本困难。垂直形貌是由多个薄膜的重复沉积和蚀刻引入的。蚀刻产生的薄膜台阶通常在剩余的工艺过程中得以保留。这种地形会在运动部件之间产生机械干扰，并使后续工艺步骤复杂化。当互连连杆必须越过齿轮边缘或齿轮的同心固定轮毂时，就会出现机械干涉，因为该机构会移动一个完整的旋转周期。这种干涉的一个例子可以在图 2c 和图 3a 中的特写中看到，其中上连杆运行在齿轮的边缘上，导致悬垂特征。这个特征是由于多晶硅薄膜的保形沉积。连杆/齿轮干扰可以通过微引擎设计或在后续沉积附加膜之前对表面进行平面化来减轻。

图 3 SEM 图 3a 说明了多晶硅沉积在先前拓扑结构上的保形性质（由箭头指示）产生的伪影，而图 3b 说明了在最终多晶硅沉积之前通过 CMP 平面化制造的相同微引擎接头特征。悬垂的工件不再存在。

关键问题：粘滞、摩擦和磨损

尽管有几个问题对多晶硅表面微加工仍然很重要，例如薄膜材料特性的测量，以及薄膜残余应力的测量和控制，但它们并没有在表面相关现象的程度上阻碍器件的使用。微引擎、齿轮微机构和传感器结构方面的经验使我们确信，许多设备可以充分设计和制造，具有所需的机械属性，但设备表面的静摩擦、摩擦和磨损现象是普遍使用的最大障碍。显然，在上一节中，我们说明了一种称为减速单元的结构。

摩擦磨损

正如预期的那样，摩擦和磨损极大地影响了微型发动机和相关结构的性能。摩擦问题与静摩擦问题密切相关。一旦克服了静摩擦，设备就会表现得非常好，表现出“正常*”摩擦系数。迄今为止，我们在各种表面处理（包括 SAM）方面的经验表明，这是一条很有前途的道路。虽然我们没有关于使用 SAM 减少摩擦和磨损的结论性数据，但初步测试数据的指示清楚地表明了彻底的检查。问题仍然是 SAM 是否会很容易磨损。

磨损可能是最后一个要直接处理的问题。然而，由于这些现象与一些偶然性之间的密切关系，静摩擦和摩擦的解决方案也可能为长寿命提供解决方案。很明显，求解的顺序必须是第一，移动结构（解决静摩擦），第二，平滑和轻松地移动它们（解决摩擦），第三，解决前两个，移动它们很长时间（解决穿）。

沿着这些思路，一些研究人员研究了减少摩擦和磨损的可能方法。

液体润滑剂

 随着液体润滑剂的应用，弯液面的形成以及伴随的表面张力将不允许液体润滑剂仅定位于运动接头或滑动区域。液体润滑需要将设备完全浸没。如果在设备的应用中完全浸入是可以接受的，邓等人的研究。