《炬丰科技-半导体工艺》硅表面原生氧化物的生长

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅表面原生氧化物的生长
编号：JFKJ-21-530
作者：炬丰科技

摘要
已经确定了控制硅(Si)表面上天然氧化硅生长的控制因素。室温下，空气和超纯水中天然氧化物的生长需要氧气和水或水分的共存。自然氧化膜的逐层生长发生在暴露在空气中的硅表面。超纯水中n-Si上天然氧化物的生长遵循抛物线规律，而超纯水中n ±Si±的天然氧化物膜厚度在10 A时达到饱和。超纯水中n-Si±天然氧化物的生长持续伴 随着Si向水中的溶解，并降低了氧化物-Si界面处的原子密度，从而产生粗糙表面。对于表面被空气中生长的天然氧 化物覆盖的硅晶片，没有观察到硅溶解到水中。实验证明，在空气和超纯水中生长的天然氧化物表现岀显著的差异 ,如超纯水液滴的接触角和化学结合能。还讨论了在空气和超纯水中生长的天然氧化膜的化学键结构。

导言
硅表面自然氧化物生长速率的控制在超大规模集成器件的制造中非常重要。硅表面上的天然氧化膜阻止了高质量外延硅膜的低温生长，并阻止了对极薄栅极氧化膜的厚度和电性能的精确控制，此外还增加了小面积通孔的接触龟阻。因此，随着集成电路图案尺寸的减小，自然氧化物薄膜的生长受到越来越多的关注。

实验
具有不同于热氧化物密度的自然氧化物的归一化厚度，其中自然氧化物厚度不受热氧化物厚度的影响。用露点最低为-110°C的露点计监测氧气和氮气等工艺气体中的H2氧浓度。超纯水中的溶解氧水平通过极谱法测量，最低水平为5 ppb。用原子吸收法测量超 纯水中溶解的硅的量。用光束反射法和扫描隧道显微镜分别，评价了通过（HF+H, 0）刻蚀去除自然氧化物覆盖层后的自然氧化物表面和硅晶片表面的粗糙度。

结果
.空气中天然氧化物的生长 略
超纯水中天然氧化物的生长 略
天然氧化物結构 略
实验表明天然氧化物近似连续的阶跃函