炬丰科技-半导体工艺》薄膜太阳能电池PECVD方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：薄膜太阳能电池PECVD方法

编号：JFKJ-21-656

作者：炬丰科技

关键词：多尺度建模；等离子体增强化学气相沉积；计算流体力学；薄膜太阳能电池；并行计算

摘要

   这项工作的重点是多尺度计算流体动力学的发展（CFD）模拟框架，用于等离子体增强化学气相沉积薄膜太阳能电池。提出了一个宏观CFD模型，该模型能够精确再现二维轴对称反应器几何结构内的等离子体化学和输运现象。此外，在a-Si:H薄膜表面发生的复杂相互作用与CFD模拟相耦合，使用一种描述薄膜生长的新型动力学Monte Carlo方案，从而形成多尺度CFD模型。由于该多尺度CFD模型带来了巨大的计算挑战，因此提出了一种并行计算策略，通过气相网格和微观薄膜生长过程的离散化，减少了处理时间。最后，将多尺度CFD模型应用于工业相关操作条件下的PECVD工艺，发现非晶硅薄膜在晶圆半径上的生长速率不均匀性大于20%。

介绍

   本文提出了一个多尺度CFD模型，该模型捕捉了PECVD系统中宏观和微观区域之间的相互联系。该模型适用于在工业相关条件下（T=475 K，P=1托，进料中氢与硅烷气体的比例为9:1）对a-Si:H薄膜进行PECVD。在宏观尺度上，包含120000个单元的结构化网格用于离散腔室反应器几何结构。ANSYS Fluent软件作为一个框架，用于求解控制动量、质量和能量方程，这些方程定义了平行板PECVD反应器内工艺气体的动力学，并协调了模拟域之间的通信。为了使Fluent体系结构适合非晶硅薄膜沉积的具体应用，实现了三个用户定义函数（UDF）。第一种解释了34种普遍存在的气相反应，包括9种产生等离子体的电离反应。第二个UDF根据Park等人的工作提供了准确的电子密度分布图。最后一个也是计算要求最高的函数包括一个混合动力学蒙特卡罗算法，用于模拟表征微观区域的复杂表面现象。

过程描述与建模

   本工作中使用的PECVD反应器属于CVD反应器中广泛使用的子类，称为室式平行板反应器。本研究中使用的具体几何结构是一个圆柱形反应室，其晶圆容量为20 cm，淋浴头间距为3 cm。PECVD工艺中可规定两种不同的模拟区域：宏观气相以及复杂的微观表面相互作用。图1强调了这一过程的多尺度特征，以及由于宏观和微观制度之间的相互依赖，需要在两个尺度上捕捉动力学。

 

 

除了先前详细描述的传输和反应现象外，与表面相邻的细胞与生长的薄膜层共享质量和能量。具体而言，SiH3和H自由基沉积在薄膜上，导致质量下沉，而SiH4和H2从表面解吸，代表质量源。此外，在化学吸附过程中，能量通过共价键的断裂和形成而消耗和释放。因此，Sh和Si项分别添加到能量和质量平衡中。为了清晰起见，这里需要注意的是，微观模拟并不是在每个边界单元内进行的。相反，微观模拟发生在晶圆表面的离散位置（例如，本工作中使用了从r=0.0到10.0 cm的十个离散位置），并通过线性插值找到剩余边界单元的适当质量和能量消耗。

多尺度CFD分析

 

在宏观尺度上，感兴趣的沉积物种SiH3和H的浓度存在显著梯度。这意味着，晶圆表面不同点处的微观模拟应产生非均匀薄膜特性，因为从CFD模型接收空间变化的输入参数。这里给出的结果强调了精确反应堆建模的重要性；具体而言，利用多尺度模型捕捉反应堆整体行为的重要性。通过此处开发的多尺度PECVD模型获得的薄膜不均匀性信息，可为改进反应器几何结构的设计和操作策略提供见解，否则无法使用传统建模方法。

总结

本文提出了一个多尺度CFD模拟框架，包括宏观CFD模型和微观表面相互作用模型，并将其应用于PECVD硅加工。在宏观范围内，通过使用二维轴对称网格和有限差分方法对PECVD几何体进行离散，解决了质量、动量和能量平衡问题。沿着直径为20cm的晶圆边界，提出了一种混合动力学蒙特卡罗算法来解释描述薄膜生长的微观区域内的复杂现象。已经实施并证明了一种并行操作策略，以减少多尺度CFD模型的计算需求，并允许其他计算禁止模型的操作。宏观和微观模拟结合在一起，对PECVD系统的运行产生了深刻的认识；具体而言，观察到的薄膜产品的生长速率（20%）和氢含量的不均匀性表明，详细的建模提供了改进反应器几何形状和流动特性的能力。