《炬丰科技-半导体工艺》SiGe的蚀刻和沉积控制

最新推荐文章于 2024-08-15 11:22:10 发布
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本文探讨了嵌入式硅锗(eSiGe)在半导体工艺中的应用，特别是在提高pFET器件性能方面的重要性。强调了控制凹槽反应离子蚀刻(RIE)和外延层厚度以减少阈值电压可变性的必要性。通过前馈和反馈技术优化外延控制，确保硅锗表面与沟道位置精确匹配，从而降低器件的不确定性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：SiGe的蚀刻和沉积控制

编号：JFKJ-21-771

作者：炬丰科技

摘要

嵌入式硅锗在最近的技术节点中被应用于互补金属氧化物半导体中，以提高器件性能并实现扩展。本文发现硅锗表面相对于沟道的位置对功率因数校正阈值电压和器件可变性有显著影响。因此，嵌入式硅锗的凹槽蚀刻和沉积必须得到很好的控制。我们展示了器件对填充工艺的敏感性，并描述了用于优化外延控制的前馈和反馈技术。

  

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