原创 AndyICer Andy的ICer之路 1月5日
一、动态功耗
①翻转功耗(Switching Power)
翻转功耗是由充放电电容引起的动态功耗,其推导过程很简单,但是这个最终的结果却十分重要。
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switching power 和负载电容、电压、0到1变化事件的发生次数、时钟频率有关;
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switching power和数据无关,也就是传输的数据不会影响翻转功耗,但是数据的翻转率会影响翻转功耗。
由这个公式我们很容易得到如果想减少功耗,那么方法就是:
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降低电压;
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降低翻转率;
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减少负载电容;
②短路功耗(Internal Power)
短路功耗又可以称为内部功耗,主要原因是直接通路电流引起的功耗,即短路造成的。短路功耗是因为在输入信号进行翻转时,信号的翻转不可能瞬时完成,因此PMOS和NMOS不可能总是一个截止另外一个导通,总有那么一段时间是使PMOS和NMOS同时导通,那么从电源VDD到地VSS之间就有了通路,就形成了短路电流,如下面的反相器电路图所示:
二、静态功耗
静态功耗是由于漏电流引起的,在CMOS门中,漏电流主要来自4个源头:
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亚阈值漏电流(Sub-threshold Leakage, ISUB): 亚阈值泄漏电流是晶体管应当截止时流过的电流。
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栅极漏电流(Gate Leakage, Igate): 由于栅极氧化物隧穿和热载流子注入,从栅极直接通过氧化物流到衬底的电流。
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栅极感应漏电流(Gate Induced Drain Leakage, IGIDL): 结泄漏电流发生在源或漏扩散区处在与衬底不同电位的情况下。结泄漏电流与其他泄漏电流相比时通常都很小。
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反向偏置结泄漏(Reverse Bias Junction Leakage ,IREV):由少数载流子漂移和在耗尽区产生电子/空穴对引起。
MOS管的结构图如下:
漏电流组成如下图所示: