《炬丰科技-半导体工艺》晶片键合技术和薄膜传输技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：晶片键合技术和薄膜传输技术
编号：JFKJ-21-935
作者：炬丰科技

引言
结合离子注入工艺、激光照射和去除牺牲层，晶片键合技术是将高质量薄膜转移到不同衬底上的最有效方法之一。本文系统地总结和介绍了晶片键合技术在电子、光学器件、片上集成中红外传感器和可穿戴传感器等领域的应用。依次介绍了基于智能剥离技术

工艺的绝缘体上硅(SOI)晶片的制作、宽带隙半导体、红外材料和电光晶体的异质集成以及薄膜转移的晶片键合技术。此外，本文还重点介绍了基于上述平台的器件设计和制造进展。他们证明，转移的薄膜可以满足高性能电力电子、分子传感器和高速调制器在5G之外的下一代应用。此外，还报道了通过晶片键合和去键合方法制备的柔性复合结构。最后，讨论了需要通过晶片键合技术实现的异质结构的进一步发展的前景和结论。

关键词:异构集成；晶片键合；薄膜转移；系统级封装(SIp)；传感器；5G；6G；光子学；电力电子；物联网；物的人工智能(AIot)；可穿戴电子设备

介绍
目前，我们正处于通信技术创新的风口浪尖。第五代(5G)通信技术和5G之外的替代通信技术的发展将影响世界各国的技术格局。通信技术的目标是在数据速率、延迟、大规模连接、网络可靠性和能效方面实现革命性的飞跃。因此，高数据传输要求迫使终端产品的性能迅速提高。5G时代的到来离不开针对电信基础设施的射频(RF)前端的发展，而RF前端的核心就是由压电谐振器组成的滤波器。具有高机电耦合的压电谐振器将改善射频前端的性能，。增加带宽，降低损耗。在使用各种结构和压电材料的压电谐振器中，基于铌酸锂薄膜的压电谐振器具有显著高的机电耦合。然而，目前还不可能通过传统的沉积工艺在衬底、绝缘体上制备铌酸锂薄膜。利用转移技术来移动一片