《炬丰科技-半导体工艺》 用于紫外 LED 的图案化蓝宝石石英基板

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章： 用于紫外 LED 的图案化蓝宝石石英基板
编号：JFKJ-21-1172
作者：华林科纳

使用蓝宝石衬底和二氧化硅（二氧化硅）层的图案组合来提高紫外发光二极管(UVLEDs)的性能。增强的光输出是由于iii-氮化物发光材料的晶体质量的提高和通过减少产生的光子的内反射和吸收来提高光提取效率(LEE)。有潜力提高led固态紫外线光源固化、水净化、灭菌和光疗。
使用了三种类型的蓝宝石衬底：平面(FSS)、图案(PSS)和二氧化硅阵列(PSSA)。利用图案光刻胶的热回流和电感耦合蚀刻技术创建了PSS的尖锥。用PSSA将尖锥蚀刻到2µm等离子体增强化学气相沉积(PECVD)二氧化硅层中。蚀刻继续向下进入蓝宝石基底。
图案蓝宝石的影响是在氮化铝氮化镓(AlGaN)生长中改变位错，使它们的路径弯曲，使它们湮灭，而不是穿过铟氮化镓(InGaN)发光活性层。这种位错成为电子-空穴重组的中心，而没有紫外光子的发射，俘获效率。
与基于gan的器件相比，图案化蓝宝石技术在AlGaN中效果不佳。这与铝在生长过程中的粘附性更强有关。这导致了错误的晶体生长。二氧化硅阵列层的效果之一是减少定向错误的晶体区域，III-N沉积的成核由20nm溅射AlN组成。利用三甲基金属和氨前驱体(MOCVD)进行金属有机化学气相沉积。n型和p型掺杂分别通过硅烷（硅烷）和bis（环戊二烯基）镁（Cp2Mg）进行。以氢气和氮气作为载气。

最终的外延结构（图1）通过720°，20分钟的热退火完成，以激活Mg掺杂。该材料用1.25µm的介观蚀刻制备成led，以暴露n-AlGaN接触层。p-GaN接触层覆盖退火的氧化锡(ITO)透明导体电流扩散层。铬/铂/金被蒸发，形成二极管结构的n电极和p电极。通过研磨和抛光，将晶片变薄至120µm。然后将254µmx685µm芯片单分离出。
采用x射线衍射(XRD)和扫描透射法评估线程位错密度(TDD)离子电子显微镜(STEM)。在扁平蓝宝石上生长的III-N材料中的TDD通常为1010/cm2。STEM分析估计出的PSS和PSSA样品的值分别为5.63x108/cm2和2.80x108/cm2。这些结果与不太可靠的XRD数据相一致。

STEM研究还表明，在蓝宝石界面形成的位错弯曲并在锥体处终止（图2）。PSSA进一步减少了位错的向上传播。PSSA样品在视锥体上形成寄生晶体的影响也较小。在PSSA上生长的AlGaN脱毛层的TDD比在PSS上生长的要低，利用了3D生长阶段更首选的垂直生长和减少合并边界的不匹配。”

图3在FSS、PSS和PSSA上生长的UVLEDs的(a)I-V和(b)L-I特性。在FSS、PSS和PSSA上生长的UVLEDs的©EQEs与电流曲线的比较。(d)最先进的EQE为uvled。
在光致发光条件下，峰波长为368nm。在150mA注入时，FSS、PSS和PSSAUVLEDs的电致发光产生的光输出功率分别为68.3、153.8和193.9mW（图2）。将PSSA器件性能的提高归因于“提高了晶体质量和提高了LEE”。相应的外部量子效率峰值分别分别为23.1%、44.9%和50.4%。声称，50.4%的数据“比以前的出版物中报道的要好”。该器件的电流-电压性能相似。
通过对界面光反射的数值模拟，探讨了提高性能中的LEE因素。对于FSS衬底，由于折射率的对比度，平面界面倾向于将大部分的光反射回二极管中，大大减少了光的提取。反射率测量结果表明，PSS器件在368nm处的反射率和透射率为10.2%，PSSA为15.8%。