《炬丰科技-半导体工艺》用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

最新推荐文章于 2024-10-02 10:46:38 发布

jfkj2021

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《炬丰科技-半导体工艺》研究表明，HF-HNO3-H2SO4混合物对多晶硅的蚀刻速率受硫酸浓度影响显著。在硫酸约6mol·L-1时，蚀刻速率增加，与溶液颜色变化相关。高硫酸浓度导致溶液粘度增加，降低蚀刻速率。实验中发现亚硝基离子浓度增加会加速硅蚀刻。扫描电镜和激光扫描显微镜分析表明硫酸浓度对硅表面结构影响大。

摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：用于刻蚀多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
编号：JFKJ-21-873
作者：炬丰科技

引言

硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1，w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4，w (97%-H2SO4)<0.3.对于较高浓度的硫酸，H2SO4可视为稀释剂。为了研究硫酸在恒定HF和硝酸量下的影响，使用发烟硝酸(100%)，并且混合物中的水依次被H2SO4代替。发现硫酸浓度约为6mol·L-1时，蚀刻速率突然增加，这与蚀刻溶液的特征颜色有关。大于7mol·L-1 h2so 4时反应速率降低是由于高溶液粘度和氟磺酸的形成。通常，在HF-HNO3-H2SO4/H2O蚀刻混合物中，硝酸的解离减少，硝基离子的形成，中性氮中间体的溶解度(例如。NO2、N2O3)以及其他效应影响硅表面的侵蚀。用扫描电子显微镜和激光扫描显微镜(LSM)研究了腐蚀硅表面的结构，硫酸的相对量对形貌影响最大。

实验
HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物对晶体硅表面的整体反应性：略
硫酸浓度对二氧化氮和物种蚀刻速率和形成的影响：图5显示了硅蚀刻速率、硫酸浓度与氢氟酸和硝酸混合物每溶解硅量产生的亚硝酸盐离子量之间的相关性。物种通过增加硫酸浓度来稳定。在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中，大量的含氮化合物，如硝酸、二氧化氮、NOx+和NO，使物种的反应性研究复杂化。最近研究的HF-NOHSO4-H2SO4蚀刻混合物是合适的模型蚀刻系统，因为物种是先验不存在的。对于这些混合物，我们发现亚硝基离子浓度的增加会导致硅蚀刻速率的增加。根据这些结