电源专题之SMPS原理

参考资料

1、A 3-A CMOS low-dropout regulator with adaptive Miller compensation

2、我用过的最好用的LDO补偿的方法（SCI 论文） - Analog/RF IC 资料共享 - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) -

3、80-VC603-9，Switched-Mode Power Supply (SMPS) Inductor Selection

4、 https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhca058/zhca058.pdf?ts=1698821091398&ref_url=http%253A%252F%252Fwww.baidu.com

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一、SMPS 基础

开关电源(Switching-mode power supply,SMPS)分为电感式和电容式两大类。其中电感式开关电源以电感作为储能元件，又包括三种类型：buck、boost和buck-boost converter。电容式开关电源又称 Charge Pump，它是以电容作为储能元件，无电感。相关的特征如下表所示：

1.1、开关电源演进

对LDO电路，三极管消耗的功率 Ploss=(Vin-Vout)*Iout，如果要进一步减小 Ploss 来提升效率，尝试让三极管工作在开关状态。也就是当三极管完全导通时，压降为0，此时Ploss=0，同时负载由电源端供电，同时对电容进行充电;另外，当三极管关断时，I=0，理论上Ploss=0，此时负载由电容供电，从而完成整个过程的供电。但根据 I=CdV/dt可知，当三极管导通瞬间，会有接近无限大的电流流过电容，会导致电容损坏。

优化方案1：为保护电容，需要限制三极管打开时的充电电流。一个解决方案就是通过串联电阻R减小充电电流。但进一步分析就会发现，串联电阻后虽然三极管处于开关模式接近不消耗功率，但是电阻R会消耗功率，相当于将三极管消耗的功率转移到电阻上。

优化方案2：电阻消耗功率，但是电感和电容不消耗功率，可以考虑用电感或电容代替电阻。其中电感有限制电流突变的作用，可以用电感代替电阻。电感在处于充/放电时需要有完整的回流路径，因此增加续流二极管，这样就构成了Buck电路。

1.2、SMPS 电路基本结构

开关电源芯片通常由主控模块、保护电路及附加功能模块组成。

1.2.1、 主控模块

主控模块主要由电流采样放大电路、振荡电路、MOS管、上下端MOS管驱动电路及误差放大电路等组成。

1.2.2、Bandgap

带隙基准，全称是 Bandgap voltage reference，主要是为了提供一种与温度无关的恒定电压。常见的实现方法如下：

1、利用齐纳二极管的反向击穿电压，也就是稳压二极管（现在不常用，因为齐纳二极管的反向击穿电压比大多数应用的电源电压还高）；

2、利用耗尽MOS管和增强型MOS管的阈值电压的差值（在多数CMOS工艺中用不上，因为多数CMOS工艺中只制造增强管，不制造耗尽管）；

3、利用具有正温度系数的电压与具有负温度系统的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V(也就常说的 Bandgap)；

Bandgap 工作原理：

对正温度系数电压，pn结电流与结电压的关系为指数关系，即I=Is exp(qV/kT)，其中Is为pn结反向饱和电流，对于三极管的be结来说（CMOS工艺中如何得到三极管下面再说），be结电流为基极和集电极电流之和，忽略基极电流，则be结电流与集电极电流相等，Ic=Is exp(qVbe/kT)，则be电压Vbe=(kT/q)ln(Ic/Is)与绝对温度成正比。如果有两个Vbe相减，则得Vbe1-Vbe2=(kT/q)ln(Ic1/Ic2)，与绝对温度成正比，而且与Ic，Is的具体值无关，只与两只管子的Ic的比值相关。

对于负温度系数的电压，是在1967年，Brugler计算出be结电压的数值具有负温度系数。公式：Vbe=Vg0(q- T/T0)+Vbe0T/T0+mkT/q ln(T0/T) + kT/qln(Jc/Jc0)，其中Vg0为0开尔文温度时的硅原子禁带宽度电压，T0为某一参考电压，m为一个值大约为2.3的温度常数，Vbe0为温度T0下的be电压，Jc为温度T（即当前温度）进的be结电流密度，Jc0为温度T0时的结电流密度。

这样，通过搭配适当的这两个值的和，就可以得到一个在T时与温度无关的电压量，求搭配系数的方法，就是将两者的和对温度取微分，再令微分结果为0即得到两者的比例关系。计算后得到的与温度无关的电压量刚好等于硅禁带宽度加上一个小电压量，因此就称这样得到的电压为 “带隙基准”。

电路中如何让这两者相加呢？对于Vbe，可以直接利用，对于Vbe1-Vbe2则一般是通过其差值加在电阻上转换成电流，再将相同的电流流过加在三极管集电极上的电阻上间接得到Vbe1-Vbe2，这样两者相加，就得到了与温度无关的量。

1.2.3、电感

当电感L中有电流I流过时，电感存储能量为E=L*I*I/2。在一个开关周期中，电感电流的变化与电感两端电压的关系为：

电感上的电流与电压的积分成正比，只要电感电压变化，电流变化率di/dt也将变化，正向电压使电流线性上升，反向电压使电流线性下降。

CCM模式下：上MOS管导通时，电感两端的电压Vl=Vin-Vout，电感电流变化量：

下MOS管导通时，电感两端的电感Vl=-Vout，电感电流变化量：

一个开关周期内，电感电流平衡：

电感感值小，纹波会增大；

电感感值大，动态响应变差。

1.2.4、Low/High Side MOSFET

上管要求有快速开关性能。buck中占空比一般比较小，所以上管的导通时间比较短，这就需要上管尽快的导通，以响应电流的需求。而其相对下管有较短的导通时间，所以Rds相对影响较小。

下管要求有低的Rds(on)。下管大部分时间处于导通状态，需要Rds较小，从而减小功耗。至于开关性能，因为mos管本身有体二极管，当下管没有导通的时候，它的体二极管可以提供一个瞬时的电流，所以对它的开关性能要求没那么高，而是注重于导通电阻。

上下 MOS 通常都采用 NMOS。

MOS 管并不是理想的器件，因为在导电的过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 在导通时就像一个可变电阻，由Rds(on)所确定，并随温度而显著变化（随温度的升高而变大）。

器件的功率耗损可由 Iload2×Rds(on)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压 Vgs 越高，Rds(on)就会越小；反之Rds(on)就会越高。

1.2.5、自举电容

如下图所示，上管MOS为N沟道MOS管，当Q1导通时，忽略MOS管的导通压降，V_d=V_IN,V_s=V_IN，因为Vgs＞0，MOS管才能导通，即 V_g＞V_IN。所以就必须产生一个比V_IN要高的电压来驱动MOS管，所以使用了电荷泵升压电路。

在 DC-DC 芯片内部，V_IN 先经过一个 Regulator，降压成固定电压 VREG5，再经过一个二极管连接到VBST，VBST 再经过自举电容连接到 SW。SW 脚是低电平为0V，高电平为V_IN的PWM信号。上电后，SW脚为0V，V_IN 经过稳压器稳定输出 VREG5，再经过二极管(二极管压降为Vf)，VBST电压为VREG5-Vf，所以电容两端电压被充电到VREG5-Vf，一段时间后，SW脚电压变为V_IN，由于电容两端的电压不能突变，所以VBST脚电压变为V_IN+VREG5-Vf。

自举电容上串接的电阻R3,增大其阻值，会减缓VBST脚PWM信号的上升沿，进而降低上管MOS的开启速度，可以改善EMI，但是会使DC-DC芯片的温升增大。通常R3的取值不能超过33ohm。自举电容串接电阻R3=0ohm时，VBST脚PWM信号的上升沿和下降沿时间分别为 7.663ns 和 4.836ns。

自举电容串接电阻R3=22ohm时，VBST脚PWM信号的上升沿和下降沿时间分别为 8.253ns 和 4.808ns。

1.2.6、前馈电容 Cff

参考：反馈

有时 DC-DC 电源的反馈分压上端电阻会并联一个 pF 或 nF级别的电容，如下图 C3 所示，这个电容被称为前馈电容 Cff。

没有前馈电容时，下图显示了相应的增益和相位图。在频率变化时，增益始终为一条直线。

加入前馈电容后，其与反馈电阻形成新的零点和极点，如下图所示，增益和相位受到影响。

当频率为零时相当于直流电，此时电容容抗无穷大，电容相当于断开，和无前馈电容一样。在中高频区域，Cff 通路的阻抗降低，输出电压到反馈端的扰动衰减较小，此时转换器的输出电源轨可以更高效地响应高频扰动，所以对瞬变负载会产生更快的响应，进而调节 duty cycle 以便更快地修正输出电压的偏差。

Cff 在零点频率之后引入了一个增益提升，环路相位在零点和极点频率之间达到最大值，等式如下。

（1）R1 和Cff 形成了一个零点：

（2）R1、R2和Cff 形成了一个极点：

增加 Cff 的值将使零点和极点向低频偏移，减小 Cff 的值将使零点和极点向高频偏移。

如何确定 Cff 的值？

通常, 较大的 Cff 可提供更大的带宽改进。但是, 如果 Cff 过大, 前馈电容会导致环路增益交叉频率过高, 并且 Cff 相位提升贡献不足, 导致不可接受的相位裕度或不稳定性。为了优化瞬态响应, 选择合适的Cff 值, 这样环路反馈的增益和相位提升将增加转换器的带宽, 同时仍保持可接受的相位裕度。

1、在使用 Datasheet 选定所有适当的外部元件之后，移除 Cff，并使用瞬态分析或网络分析仪测量转换器的穿越频率。为了确定穿越频率，Cff 必须保持开路。瞬态分析采用 tip && barrel 电压探针测量输出端负载瞬变状态下电压的偏移。

2、采用 Vin=5V,Vout=12V，负载瞬变从 0mA 至 160mA，可观察到输出电压从直流电平预设点偏移了约 0.9V，电压偏移波形对负载瞬变响应的频点与转换器的穿越频率相关。在该示例中，瞬态纹波的频率约为 15kHz，而注意到电压偏移在瞬态发生 30ms 后即实现校正。随着转换穿越频率的提升，由于电压的偏移在更短的时间内即实现校正，导致电压偏移减小，说明转换器响应得到了改善。

3、一旦穿越频率 f_nocff 被确认，便可采用少数几个公式对前馈电容值进行计算。

在添加 82pF 的 Cff 电容后瞬态响应的改善如下图所示。转换器的响应时间从无 Cff 时的 30ms 缩短到 14ms，最大瞬变电压从无 Cff 时的 900mV 缩短至 377mV。

1.2.7、保护电路

过压(OVLO)和欠压(UVLO)保护：为防止开关电源的输入输出电压超出正常工作范围而损坏电源芯片，通常是使用迟滞比较器设置门槛保护点，从而控制开关逻辑。

软启动保护：是在开关电源启动时，采用电压逐渐变大的参考电压源，实现输出电压时间缓慢增加。

过热保护：为了避免芯片由于温度过高损坏，当温度达到芯片保护点时，会触发热保护机制，关断SW引脚输出，温度降低后再恢复。一般是利用BJT的Vbe温度特性和施密特触发器来设置保护点，从而控制开关逻辑。

过流保护：为了避免SW引脚输出大电流损坏芯片，芯片会检测SW的最大电流，当Ipeak触发过流保护点，芯片会关断输出，输出电压会下降；有些芯片会限制Ipeak值，那么在负载增大时，电压也会下降。

1.2.8、EN 使能

一般是控制 EN 引脚来控制芯片是否工作，本质是一个施密特触发器，使能电压高于门限电压，芯片工作。通常为了调节系统电压时序，可以通过调节并联电容调节时序。

1.2.9、补偿电路

内部运放的输入和输出端需要有阻抗形成负反馈网络，可以使用电容或者电阻加电容，改变穿越频率点，破坏自激振荡条件，有利于环路稳定性。

1.3、SMPS 主要参数

1.3.1、精度

精度用来衡量开关电源保持稳定输出的能力，有采用百分比和绝对值两种表示方法。

1.3.2、转换效率

效率：输入电压和输出电压的压差最小，效率最高。另外，在输入输出电压不变的情况下，输出电流大小在某中间值时，效率最高。

1.3.3、线性调整率

1.3.4、负载调整率

1.4、SMPS 相关知识

1.4.1、伏秒平衡

根据电感电压的计算公式V=Ldi/dt，即△I=V*△t/L；当给电感充电时，△I+=Von*△ton/L；当给电感放电时，有△I-=Voff*△toff/L。在稳态下由电感的能量守恒得到，△I+=△I-，即Von*△ton/L=Voff*△toff/L；在电路中，电感L为常量，可以得到Von*△ton=Voff*△toff；即等式两边是电压和时间的乘积，简称为伏秒平衡。由伏秒平衡可以得到占空比的公式，具体如下所示：

CCM模式下BUCK电路的电压电流变化分两个阶段：

a、开关管V导通，电感电流由ILmin增加到ILmax；

b、开关管V关断，二极管D续流，电感电流由ILmax降到ILmin。

1.4.2、CCM/DCM/BCM 模式

开关电源根据稳态下的电感电流可分为连续导通、临界导通和断续导通三种工作模式。在连续导通模式CCM下，电感电流在整个开关周期内都大于0；在断续导通模式DCM下，电感电流在一个周期内的某一时间段内都等于0。

在临界导通模式BCM下，电感电流的最小值恰好等于0，是CCM和DCM的特殊情况。在同步拓扑下，当上端MOS管关断时下端MOS管强制打开，电感电流可反向，进入强制连续导通模式FCCM。

1.4.3、占空比

占空比定义为MOS管导通时间ton与周期T的比值。

BUCK：D = Vout / Vin

BOOST：D = (Vout - Vin)/Vout

Buck 电路占空比公式计算（忽略二极管压降）：

BOOST电路占空比计算（忽略二极管压降）

1.4.4、PWM/PFM 模式

开关电源常用的控制模式有 PWM 和 PFM 及混合调制 PWM-PFM 模式。

PWM模式开关频率由锯齿波信号决定，占空比由前端反馈的误差电压信号决定，在重载工况效率比较高，输出纹波频率稳定，因此比较容易设计滤波电路。但是在轻载工况下，效率较低，由于误差放大器的影响，在具有快速瞬态响应和高稳定性要求下需要有较好的补偿网络设计。

PFM 模式下信号占空比固定，改变的是信号频率。轻载时可降低转换器驱动IC的工作频率，进而降低损耗。由于频率不固定，输出滤波器设计难度大，有EMI问题，纹波较大，而且可能会有频率导致人耳能听到的噪音。控制电路相比PWM更加负载，成本较高。

1.4.5、同步与异步架构

异步 Buck 由开关管、储能电感、输出滤波电容、续流二极管（肖特基二极管或者快恢复二极管）和负载组成。续流二极管的压降较大(0.3V左右)，导通时会有较大的损耗，导致DC-DC整体效率较低，目前这种架构已经逐步淘汰。

同步 Buck 由两个 MOS 开关、储能电感、以及输出滤波电容组成。用低压降损耗的MOS管代替续流二极管，降低二极管的损耗功率，提高效率。上MOS管导通时，下MOS管关断，此时为电感充电；上MOS管关断，下MOS管导通，电感放电。目前已成为DC-DC的主流架构。

两者的具体区分如下图所示：

另外，一般 MOS 都集成在芯片内部，不需要额外的 PCB 面积。

同步整流Buck电路的上下管不能同时导通，否则会引起输入短路。为了避免上下管同时导通，需要设置死区，即有一段时间上下管都不导通。上管关闭以后，在下管导通之前留一段死区时间。死区时可以通过下管的寄生二极管进行续流或者也可以在下管上并联肖特基来提高效率。

1.4.6、转换效率/损耗

SMPS 的功率器件主要是MOS管和电感，因此损耗也主要来自这两个器件。MOS管的损耗主要包括开关损耗、导通损耗以及体二极管造成的损耗：

MOS 管开关损耗

开关器件从导通（关断）转换为关断（导通）的所有损耗。开关频率越高，每秒开关转换状态的次数就越多，开关损耗就越大。

High Side MOS在开关过程中，出现电压和电流交叠区，如下图所示，t1~t3这段时间。因此在开启和关断的过程都会出现较大的损耗，计算公式如下：

Low Side MOS的开关过程是在dead time结束时，此时体二极管续流，因此VDS较低，通常认为是软开关。

High Side MOS的开关损耗跟开关频率和MOS的栅极电荷Qg相关，因此可以通过降低开关频率，或者选用Qg较小的MOS来减小开关损耗；而导通损耗主要跟MOS的Rdson相关，因此需要减小Rdson才能减小导通损耗。

同一系列的MOS，Qg和Rdson是两个对立的参数，Qg小的对应Rdson比较大，Rdson小的对应Qg比较大，因此需要折中。对于输入和输出压差较大的buck应用，由于占空比D较小，High Side MOS的电流有效值Irms也较小，导通损耗占比小，主要还是开关损耗，因此High Side MOS优先选择Qg较小的型号。

Low Side MOS的主要损耗就是导通损耗，因此更小的Rdson可有效降低损耗。

MOS 管导通损耗

High Side MOS和Low Side MOS在导通的时候都会存在损耗，跟MOS的导通电阻Rdson和电流有效值Irms相关：

dead time损耗

主要是指Low Side MOS的体二极管在dead time期间续流产生的损耗以及反向恢复时产生的损耗。体二极管存在导通压降和电流，这部分会产生损耗：

电感损耗

电感损耗主要分为线圈损耗和磁芯损耗，线圈损耗是电感铜线的直流电阻造成的损耗，磁芯损耗主要是电感磁特性造成的。

线圈损耗可以用如下公式计算：

优化整体效率的方法总结如下：

MOS参数优化，上管选择Qg更小的型号，下管选择Rdson小的型号

选用集成MOS方案，最好是single die的DrMOS或converter

下管并联肖特基二极管

减小电感DCR

增加PCB走线的铜箔宽度和厚度

对于buck应用，DC-DC模块靠近device端摆放

DC-DC轻载设置为DCM模式

合理选择多相控制器增加或减少相数的阈值

1.4.7、纹波优化

开关电源的纹波是随机信号，随着时间变化在直流输出电平上来回波动的交流量，周期和幅值不是固定的。电源噪声一般是指全带宽下输出电压上叠加的交流量。电源纹波是低频噪声，测量需要将带宽限制在20MHz，而电源噪声测量需要将带宽限制取消，全带宽测量。

为什么电源纹波是低频？这是因为整个电源分配网络上分布着不同容值的电容，产生寄生效应，类似于低通滤波器，所以电源的高频分量不高。

假定C1为瓷片电容，C2是电解电容，R_load是固定阻值水泥负载，有 IL=IC+Iload，电容只消耗无功功率，所以没有直流电流流过，只有交流电流流过(三角波电流I_vpp)，考虑电容的等效模型：

因为DC-DC的开关频率范围在100kHz-1MHz，属于较低的频率范围，此时只考虑ESR的Zc，Rp和ESL可以忽略不计。则电容的等效阻抗：

在实际应用中，DC-DC输出端通常会使用电解电容和多个瓷片电容并联，进一步降低电容等效阻抗以降低输出纹波。在实际应用中，负载大多为动态负载，动态负载周期性抽电流和放电流也会产生纹波，上述公式可以计算出理论的DC-DC输出纹波最小值。

降低DC-DC输出纹波有如下方法：

1、增大开关频率f，但是会相应地增大开关损耗；

2、增大电感感值L，但是会降低动态响应速度；

3、增大滤波电容容值，使用ESR小的电容（如钽电容），但是会增加成本。

1.4.8、动态响应

1.4.9、正激和反激

对正激式，当变压器原边电压为正时，输出二极管正向偏置，这时开关管处于导通状态。而在反激式变换器里，开关管关断时，二极管才导通。所以正激式变换器就不会像反激式变换器那样，将能量存储在原边的电感上。

二、Buck 降压拓扑结构

2.1、应用举例

该芯片为轻载高效型DC-DC，在CCM时，开关频率为定值580kHz，为了保证稳定的动态响应，在带重载情况下，务必保证DC-DC的工作模式为CCM，否则DC-DC会进入DCM模式，开关频率会降低，输出纹波增大，动态响应变差。所以电感的取值至关重要，会影响其工作模式，计算CCM和DCM临界情况下的电感感值：

输出电压纹波：

电感饱和时的情况：

Buck芯片可以将正电压转化为负电压。

三、Boost 升压拓扑结构

四、Buck-Boost 升降压拓扑结构

简称BoB，Buck-Boost电路基本拓扑结构如下：

五、Charge Pump 电路

简称CP，电容式开关电源可实现半压、倍压或负压变换。其过程分为两个阶段，第一阶段给电容充电，第二阶段通过改变电容的正负极回路，实现半压、倍压或负压等。注：电容两端的电压没有办法突变。