电力设备电磁设计原理（一）

本篇为西安交通大学本科课程《电力设备设计原理》的笔记。

本篇为这一单元的第一篇笔记。下一篇传送门。

电磁场设计的目标和原则

耐复杂应力性、长期稳定性、协同性、经济性和安全性。

电磁场设计的控制方程和本构方程

麦克斯韦方程组和本构方程

麦克斯韦方程组含有四个定律：安培-麦克斯韦定律、法拉第定律、高斯磁场定律、高斯电场定律。

麦克斯韦方程组的积分形式为：
$$\begin{gathered} {\oint }_l\mathbf{H}\cdot d\mathbf{l}={\int }_S(\mathbf{J}+\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t})d\mathbf{S} \\ {\oint }_l\mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=-{\int }_S\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}d\mathbf{S} \\ {\oint }_S\mathbf{B}\cdot d\mathbf{S}=0 \\ {\oint }_S\mathbf{D}\cdot d\mathbf{S}=Q \end{gathered}$$

1. 一式为安培-麦克斯韦定律全电流定律，表明磁场由传导电流和变化的电场产生。
2. 二式为推广的法拉第电磁感应定律，表明变化的磁场可以产生电场。
3. 三式为高斯磁场定律，表明磁场是无头无尾的闭合曲线。
4. 四式为高斯电场定律，表明电场由电荷产生。

利用高斯散度定理和斯托克斯旋度定理，麦克斯韦方程组的微分形式为：
$$\begin{gathered} \nabla \times \mathbf{H}=\mathbf{J}+\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t} \\ \nabla \times \mathbf{E}=-\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t} \\ \nabla \cdot \mathbf{B}=0 \\ \nabla \cdot \mathbf{D}=q \end{gathered}$$

意义和积分形式是一样的，只不过积分形式描述回路或闭合面上的整体情况，而微分形式描述的是各个点及其邻域的情况，反映的是局部分布。

当有媒质存在时，麦克斯韦方程组属于欠定方程组，需要三个描述媒质特性的方程，称为本构方程：
$$\begin{gathered} \mathbf{D}=ϵ\mathbf{E} \\ \mathbf{B}=\mu \mathbf{H} \\ \mathbf{J}=\sigma \mathbf{E} \end{gathered}$$

电磁场作用下媒质会出现极化或磁化现象。引入电极化强度$\mathbf{P}$和磁化磁化强度$\mathbf{M}$：
$$\begin{gathered} \mathbf{D}={ϵ}_0\mathbf{E}+\mathbf{E}={ϵ}_0{ϵ}_r\mathbf{E} \\ \mathbf{B}={\mu }_0\mathbf{H}+\mathbf{M}={\mu }_0{\mu }_r\mathbf{H} \end{gathered}$$

如果电场或磁场不随时间变化或随时间变化德很慢，方程组中的$\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t}$和$\frac{\partial \mathbf{B}}{\partial t}$可以忽略，这时候就简化为电准静态场或磁准静态场。

麦克斯韦方程组的边界条件

考虑两种不同的媒质，${ϵ}_1,{\sigma }_1,{\mu }_1$是左边媒质的参数；${ϵ}_2,{\sigma }_2,{\mu }_2$是右边媒质的参数；${\mathbf{e}}_n$是分界面上的法向单位向量，方向从左指向右。

1. 静电场中，分界面的衔接条件：
   $$\{\begin{array}{c}{\mathbf{e}}_n\cdot ({\mathbf{D}}_1-{\mathbf{D}}_2)=q_s\\ {\mathbf{e}}_n\times ({\mathbf{E}}_1-{\mathbf{E}}_2)=0\end{array}$$

2. 恒定电场中，分界面的衔接条件：
   $$\{\begin{array}{c}{\mathbf{e}}_n\cdot ({\mathbf{J}}_1-{\mathbf{J}}_2)=0\\ {\mathbf{e}}_n\times ({\mathbf{E}}_1-{\mathbf{E}}_2)=0\end{array}$$

3. 恒定磁场中，分界面的衔接条件：
   $$\{\begin{array}{c}{\mathbf{e}}_n\cdot ({\mathbf{B}}_1-{\mathbf{B}}_2)=0\\ {\mathbf{e}}_n\times ({\mathbf{H}}_1-{\mathbf{H}}_2)=J_s\end{array}$$

总结：$\mathbf{E}$的切向方向、$\mathbf{J}$的法向方向、$\mathbf{B}$的法向方向是连续的。若分界面存在自由电荷或是传导电流，$\mathbf{D}$的法向方向和$\mathbf{H}$的切向方向均不连续。

场域的边界面$\mathbf{S}$上有三种边界条件：

1. 第一类边界条件：给定边界面$\mathbf{S}$上的电动势值。
   $$\varphi {|}_s=f_1(\mathbf{S})$$
2. 第二类边界条件：给定边界面$\mathbf{S}$上的电动势法相的导数值。
   $$\frac{\partial \varphi }{\partial n}{|}_s=f_2(\mathbf{S})$$
3. 第三类边界条件：给定边界面$\mathbf{S}$上的电动势值和电动势法相的导数值的线性组合值。
   $$\varphi {|}_s+B\frac{\partial \varphi }{\partial n}{|}_s=f_3(\mathbf{S})$$

典型结构电场分析与设计

交流和直流电场的分析方法

对安培-麦克斯韦定律两边同时取散度：
$$\nabla \cdot (\nabla \times \mathbf{H})=\nabla \cdot \mathbf{J}+\frac{\partial (\nabla \cdot \mathbf{D})}{\partial t}$$

因为任意向量旋度的散度恒为零，$\nabla \cdot (\nabla \times \mathbf{H})\equiv 0$，可得电荷守恒定律：
$$\nabla \cdot \mathbf{J}=\frac{\partial (\nabla \cdot \mathbf{D})}{\partial t}$$

这意味着一定体积内，一定时间内，电荷的变化量一定等于流入该体积内的净电荷。

电场变化足够平滑，可重组为全电流散度方程：
$$\nabla \cdot (\mathbf{J}+\frac{\partial \mathbf{D}}{\partial t})=0$$

带入本构方程可得：
$$\nabla \cdot (\sigma \mathbf{E}+\frac{\partial ({ϵ}_0{ϵ}_r\mathbf{E})}{\partial t})=0$$

带入电动势方程，$\mathbf{E}=-\nabla \varphi$，得到：
$$\nabla \cdot (\sigma \nabla \varphi +\frac{\partial ({ϵ}_0{ϵ}_r\nabla \varphi )}{\partial t})=0$$

交流电压下的电场分布和分析方法

工频交流电压作用下电介质材料的电场以正弦变化。工频交流电压${\varphi }_{appl}$可以表示为相量形式：
$${\varphi }_{appl}(x,y,z,t)=\varphi (x,y,z,t)e^{i\omega t}$$

带入全电流散度方程，得到：
∇ ⋅ { σ ∇ ( ϕ e i ω t ) + ∂ [ ϵ 0 ϵ r ∇ ( ϕ e i ω t ) ] ∂ t } = 0 \nabla\cdot\{\sigma\nabla(\phi e^{i\omega t})+\frac{\partial [\epsilon_0\epsilon_r\nabla(\phi e^{i\omega t})]}{\partial t}\}=0 ∇⋅{σ∇(ϕeiωt)+∂t∂[ϵ0​ϵr​∇(ϕeiωt)]​}=0

可以简化为时谐静电方程：
$$\nabla \cdot [({ϵ}_0{ϵ}_r-i\frac{\sigma }{\omega })\nabla \varphi ]=0$$

其中，${ϵ}_0{ϵ}_r-i\frac{\sigma }{\omega }$是复数的介电常数。

一般$i\frac{\sigma }{\omega }$影响很小，那么上式可以化简为：
$$\nabla \cdot ({ϵ}_0{ϵ}_r\nabla \varphi )=0$$

说明交流情况下，电场分布依赖于介电常数。

直流电压下的电场分布和分析方法

直流到达稳态时候，电压与电场均不随时间变化，此时有：
$$\frac{\partial ({ϵ}_0{ϵ}_r\nabla \varphi )}{\partial t}=0$$

那么全电流散度方程可以化简为：
$$\nabla \cdot (\sigma \nabla \varphi )=0$$

说明直流情况下，电场分布依赖于电导率。

交直流叠加电压下的电场分布和分析方法

可以使用傅里叶展开，将其表示为直流成分、工频交流成分和高次谐波成分。

空间电荷形成电场分布的分析方法

电介质材料的电荷陷阱会捕获电荷，被捕获的电荷会停留在一个位置很长时间，形成空间电荷积累，可以使用高斯电荷方程$\nabla \cdot ({ϵ}_0{ϵ}_r\mathbf{E})=q$来计算空间电荷形成的电场，然后叠加即可。

平板结构的电场分析

假设有一个多层介质平板结构，一共$n$层，可知两极板之间的电压$U$就是各个层上的电压之和，也就是$U_1+U_2+...+U_n=U$，然后易得：$E_1{d}_1+E_2{d}_2+...+E_n{d}_n=U$

交流情况下

交流情况下是根据电位移矢量$D$的连续性原理，可得：
$$E_1{ϵ}_1=E_2{ϵ}_2=...=E_n{ϵ}_n$$

带入上述式子可得第i层介质中的电场强度：
$$E_i=\frac{U}{{ϵ}_i(\frac{d_1}{{ϵ}_1}+\frac{d_2}{{ϵ}_2}+...+\frac{d_n}{{ϵ}_n})},i=1,2,...,n$$

可见，交流情况下各层电场强度和介电常数呈现反比。

直流情况下

直流情况下是根据电流密度$J$的连续性原理，可得：
$$E_1{\sigma }_1=E_2{\sigma }_2=...=E_n{\sigma }_n$$

带入上述式子可得第i层介质中的电场强度：
$$E_i=\frac{U}{{\sigma }_i(\frac{d_1}{{\sigma }_1}+\frac{d_2}{{\sigma }_2}+...+\frac{d_n}{{\sigma }_n})},i=1,2,...,n$$

可见，直流情况下各层电场强度和电导率呈现反比。

同轴结构的电场分析

假设有一个多层介质的同轴结构，一共$n$层。对于最内层导体，其外径为$r_1$，对于最外层导体，其内径为$r_{n+1}$；对于每一层而言，其外径为$r_i,i=2,3,...,n+1$。

首先计算交流情况：由高斯定律可得，低i层介质的电场分布为：
$$E(r)=\frac{C}{2\pi rϵ}$$

其中C为常数。

对于电场积分可得每一层的电压：
$$U_i=\frac{C}{2\pi r{ϵ}_i}\ln (\frac{r_{i+1}}{r_i}),i=1,2,...,n$$

而两个电极之间的总电压为U，等于各个层的电压之和，可以得到：
$$\frac{C}{2\pi }=\frac{U}{\frac{1}{{ϵ}_1}\ln (\frac{r_2}{r_1})+\frac{1}{{ϵ}_2}\ln (\frac{r_3}{r_2})+...+\frac{1}{{ϵ}_n}\ln (\frac{r_{n+1}}{r_n})}$$

带入电场的分布表达式，可以得到不同介质层的电场分布：
$$E_i\left(r\right)=\frac{U}{r{\epsilon }_i\left[\frac{1}{{\epsilon }_1}\ln \left(\frac{r_2}{r_1}\right)+\frac{1}{{\epsilon }_2}\ln \left(\frac{r_3}{r_2}\right)+\cdots +\frac{1}{{\epsilon }_n}\ln \left(\frac{r_{n+1}}{r_n}\right)\right]}$$

还以算出第i层介质中的最大场强：
$$E_{imax}=\frac{U}{r_i{\epsilon }_i\left[\frac{1}{{\epsilon }_1}\ln \left(\frac{r_2}{r_1}\right)+\frac{1}{{\epsilon }_2}\ln \left(\frac{r_3}{r_2}\right)+\cdots +\frac{1}{{\epsilon }_n}\ln \left(\frac{r_{n+1}}{r_n}\right)\right]}$$

对于直流情况，推导是类似的，可以得到不同介质层的电场分布：
$$E_i(r)=\frac{U}{r{\sigma }_i\left[\frac{1}{{\sigma }_1}\ln \left(\frac{r_2}{r_1}\right)+\frac{1}{{\sigma }_2}\ln \left(\frac{r_3}{r_2}\right)+\cdots +\frac{1}{{\sigma }_n}\ln \left(\frac{r_{n+1}}{r_n}\right)\right]}$$

还以算出第i层介质中的最大场强：
$$E_{imax}=\frac{U}{r_i{\sigma }_i\left[\frac{1}{{\sigma }_1}\ln \left(\frac{r_2}{r_1}\right)+\frac{1}{{\sigma }_2}\ln \left(\frac{r_3}{r_2}\right)+\cdots +\frac{1}{{\sigma }_n}\ln \left(\frac{r_{n+1}}{r_n}\right)\right]}$$

不均匀电场解析计算的分析

通过复变函数的保角变换，可以转换复杂电场为简单电场计算。

z平面是原来不均匀电场所在的平面，而w平面是进行保角变换之后的平面

$w=z^2$变换式所代表的电场

$$w=z^2={\left(x+jy\right)}^2=\left(x^2-y^2\right)+j2xy=u+jv$$

令$u=x^2-y^2=k$和$v=2xy=c$，在z平面上为两组相互相交的双曲线族，如果让$v=c$代表等位线，那么$u=k$就是电力线，代表的是一个内角电极产生的电场。

假设两个电极为$v=c_1$和$v=c_2$，电压为U，在w平面上就是平板电场，那么在z平面的电场强度是：
$$E_z=\left|\frac{dw}{dz}\right|E_w=2z\cdot E_w=\frac{U}{c_2-c_1}\cdot 2\sqrt{x^2+y^2}$$

假设两个电极的形状是双曲线，方程为$2xy=2$和$2xy=0$，外加电压为U，那么可以求出几个点的电场强度值：

1. 在A点（1,1），有$E_z=\frac{U}{2-0}\cdot 2\sqrt{1^2+1^2}=\sqrt{2}U$。
2. 在B点（0,0），有$E_z=\frac{U}{2-0}\cdot 2\sqrt{0+0}=0$。
3. 在C点（0.5,0.5），有$E_z=\frac{U}{2-0}\cdot 2\sqrt{0.5^2+0.5^2}=\frac{U}{\sqrt{2}}$。

$w=z^{\frac{1}{2}}$变换式所代表的电场

$$z=w^2={\left(u+jv\right)}^2=\left(u^2-v^2\right)+j2uv=x+jv$$

即：
$$x=u^2-v^2,y=2uv$$

带入上式消去u或是v，得到：
$$4u^2(u^2-x)=y^2,4v^2(v^2+x)=y^2$$

左边的式子代表开口向左的一族抛物线，右边的式子代表开口向右的一族抛物线。

可见x和y代表的是两组互相正交的共焦点抛物线，选定一组代表等位线，那另一组就是电力线。

设两个电极取v=1和v=0，即$4\left(1+x\right)=y^2$和$y=0\left(x>0\right)$，电压差为U，那么可以算出电极定点处的电场强度：
$$E_z=E_w\left|\frac{dw}{dz}\right|=E_w\left|\frac{1}{2\sqrt{z}}\right|=\frac{U}{v_2-v_1}\cdot \frac{1}{2}{\left(x^2+y^2\right)}^{-\frac{1}{4}}$$

带入电极的v，然后带入顶点坐标（-1，0），得到：
$$E_z=\frac{U}{1-0}\cdot \frac{1}{2}[(-1{)}^2+0^2{]}^{-\frac{1}{4}}=\frac{U}{2}$$

而如果带入顶点（0，0）的话，会得到无穷大的场强，可以说明是尖端就是电场的聚集区。实际中边缘会有一定的曲率半径，所以场强不会是无穷大。

$w=\ln (z)$变换式所代表的电场

令：
$$z=r{e}^{j\phi }$$
那么：
$$w=\ln r{e}^{j\phi }=\ln r+j\phi =u+jv$$
可得：
$$u=\ln r,v=\phi$$

这里面的$r$和$\phi$是极坐标中的变量。实际上，在原平面z中，可以是以u=c为等位线，v=c为电力线，这样就是和点电荷发出的电场一样了。

成夹角的二极板间的电场变换

设：A极板和B极板如图所示，他们的夹角是$\alpha \pi$，顶点O处不连续，两个极板之间有一个很小的间隙，两极板之间的电压是U。

利用以下的变换式：
$$z=w^{\alpha }$$

把原平面z点A的坐标写成极坐标形式，带入：
$$z=r{e}^{j\alpha \pi }$$

则在新的平面w上的相应点为：
$$w=z^{\frac{1}{\alpha }}={\left(r{\mathrm{e}}^{j\alpha \pi }\right)}^{\frac{1}{\alpha }}=r^{\frac{1}{\alpha }}\cdot {\mathrm{e}}^{j\pi }=r^{\frac{1}{\alpha }}\left(\cos \pi +j\sin \pi \right)=-r^{\frac{1}{\alpha }}$$

可见这个变换后的点A’是在负的实轴上。

而原平面的点B，极坐标带入可得到：
$$w=r^{\frac{1}{\alpha }}$$

可见这个变换后的点B’是在正的实轴上，和A’刚好关于原点对称。z平面上的弧线$\stackrel{⌢}{\mathrm{AB}}$对应于w平面上的$\stackrel{⌢}{A^{\prime }{B}^{\prime }}$。而z平面上的线段BO对应于w平面上的线段B’O，z平面上的线段OA对应于w平面上的线段OA’。注意到w平面的原点也是不连续的。

下面可以计算出：
$$\frac{dz}{dw}=\alpha w^{\alpha -1}=\alpha w^{-(1-a)}=\alpha w^{-\gamma }$$

然后可以根据公式$E_z=E_w\left|\frac{dw}{dz}\right|$计算出原来平面的电场强度。