【gmid】第三章 弱反型区 & Cdd自加载考虑 (3)

弱反型区 确定大小

超低功率传感器，功耗低，电流密度低，MOS管工作在弱反型区。

在弱反型中，

在这个表达式中，亚阈值斜率参数n只是沟道长度的弱函数，前提是L略大于最小长度（避免显著的DIBL）。从上图可以看出当L = 100~1000 nm时，（gm / ID）max几乎为常数。因此，在弱反型中所需的漏极电流与一阶栅长无关.

• 如果没有其他约束，那么设计时候自然遵循最小面积，即最小器件宽度和长度。
• 然而，这在模拟电路中通常不是一个好的选择。最小长度意味着低的本征增益，而小的栅极面积（W·L）会导致器件匹配不良和闪烁噪声。
• 对于真实的世界问题，我们通常需要调用这些附加约束中的一些来完成设计大小调整。

• 本征增益随着沟道长度的增加而显著增加
• fT随着沟道长度的增加而下降，

EX3.5 弱反型区，给定宽度约束情况下，确定size

要求

• CL = 1 pF
• ID = 0.8 n