嘉立创线宽与电压之间的关系

最新推荐文章于 2025-03-03 17:35:00 发布

善 .

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结论（个人看法）：

一般而言宽度：地线>电源线>信号线

1.市电的火线和零线：80-100mil

2.12V /24V 20mil~60mil
+5V 20-30mil
+3V 20-30mil
GND 越宽越好20-30mil

3.普通信号线 10mil-20mil根据元器件密集度自行决定

从初学者的角度来总结记录一下。

嘉立创打板时我们常选择的外层铜厚1盎司（默认选择，其他的就不能免费了）。先介绍一下盎司。

盎司是重量单位，但也可以作为长度单位，单位是oz。

盎司作长度单位时，1oz代表PCB的铜箔厚度约为35um，它来源于把1oz重的8.9g/cm^3密度的纯铜平铺到1平方英尺（=144inches）的面积上所形成的厚度。

我们只需要知道1oz对应35um即可。

在外层铜厚为1oz固定时，线宽越大导线的截面积也增大，载流能力增强。

参考资料：PCB在走线时线宽为多大才合适？已经帮你整理好了！ - 知乎 (zhihu.com)

【Altium designer】常用的线宽和过孔尺寸-CSDN博客

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<think>好的，用户的问题是询问在嘉立创EDA平台上如何进行VBUS相关的PCB设计和布局方法。首先，我需要回忆一下用户提供的引用内容，特别是引用[2]和引用[4]中的信息，因为它们提到了VBUS的电流承载要求以及线宽调整。用户可能是在设计带有USB接口的电路板，需要确保VBUS线路能够承受足够的电流，避免过热或电压降的问题。根据引用[2]，USB2.0的VBUS线最好能承受1A甚至2.5A的电流，这涉及到线宽的计算。嘉立创EDA可能有内置的线宽计算工具，需要指导用户如何使用这些工具来确定合适的线宽。另外，引用[4]提到在控制阻抗时，差分线的线宽可能需要调整，但这里VBUS主要是载流能力，所以重点应放在线宽和过孔数量上。用户可能需要了解如何修改线宽，比如在嘉立创EDA中如何调整导线属性，以及如何处理过孔以增加载流能力。布局方面，引用[2]和引用[3]提到ESD保护器件、共模电感和电容应靠近USB接口，这有助于保护电路免受静电和噪声干扰。需要建议用户将这些元件放置在靠近连接器的位置，并确保VBUS路径简短。用户可能还关心内电层的处理，比如是否需要在电源层分割时考虑VBUS的路径，或者是否需要通过多层板设计来优化电源分配。引用[3]和[4]讨论了四层板的设计和电源布线，可能需要建议在内电层为VBUS分配足够的铜箔区域，并使用较宽的走线。另外，用户可能不太清楚如何实际在嘉立创EDA中操作，比如设置线宽、放置过孔、使用铺铜等。需要分步骤说明这些操作，例如通过属性面板调整线宽，使用过孔工具增加过孔，以及如何进行铺铜来增强载流能力。还要考虑测试和验证的部分，比如如何通过DRC检查来确保线宽符合要求，或者如何估算电压降。用户可能需要了解后续的验证步骤，确保设计符合规范。最后，用户可能没有明确说出的是，他们可能担心在高电流下的热管理问题，或者如何兼顾信号完整性和电源完整性。需要提醒用户注意散热，避免长距离走线，以及合理使用过孔和铺铜来分散电流，减少温升。总结一下，回答需要涵盖线宽计算、元件布局、内电层处理、实际操作步骤以及验证方法，确保用户能够全面了解VBUS设计的各个方面，并正确应用在嘉立创EDA平台上。</think>### 嘉立创EDA中VBUS布局设计方法在PCB设计中，VBUS作为USB接口的电源线路，其布局需重点考虑载流能力、抗干扰性及ESD防护。以下是具体步骤和注意事项： --- #### **1. 线宽与载流计算** - **线宽要求**：根据USB规范，VBUS需承载至少$1A$电流（普通模式）或$2.5A$（充电模式）。可通过嘉立创EDA的**阻抗/载流计算工具**确定最小线宽。例如： $$线宽（mil）≈ \frac{电流（A）}{0.9} \times 10 \quad \text{（经验公式）}$$ 若需承载$2.5A$，建议线宽不小于$28$ mil[^2]。 - **操作步骤**： 1. 在工具栏选择“导线”工具，按`Tab`键调出属性面板。 2. 输入计算后的线宽值（如28 mil），优先在表层走线以减少过孔带来的阻抗不连续[^4]。 --- #### **2. 关键元件布局** - **ESD保护器件**：TVS二极管应紧贴USB接口放置，确保静电泄放路径最短[^2]。 - **滤波电容**：在VBUS入口处添加$10\mu F$储能电容和$0.1\mu F$高频滤波电容，并靠近USB接口引脚。 - **共模电感**：若需抑制高频噪声，共模电感应布置在VBUS路径前端，与ESD器件相邻[^3]。 --- #### **3. 路径优化与内电层处理** - **缩短路径**：VBUS走线尽量直连电源输入点，避免绕线过长导致压降（压降公式：$\Delta V = I \times R$）。 - **内电层铺铜**： - 在四层板设计中，可将VBUS分配到内电层，通过大面积铺铜提升载流能力。 - 使用“铺铜”工具覆盖VBUS区域，设置与VBUS网络相同的网络标签（如+5V）[^4]。 - **过孔布置**：若需换层，需增加过孔数量（并联过孔可降低单个过孔电阻）。例如，2.5A电流建议使用2-4个过孔。 --- #### **4. 安全间距与隔离** - **与信号线隔离**：VBUS与差分信号线（如USB D+/D-）保持至少3倍线宽间距，避免串扰。 - **热管理**：大电流路径避免90°直角走线，采用圆弧或45°拐角以减少电流密度集中。 --- #### **5. 验证与测试** - **DRC检查**：通过设计规则检查（DRC）验证线宽、间距是否符合要求。 - **压降仿真**：使用嘉立创EDA的仿真工具估算VBUS路径压降，确保不超过$5\%$的电源容差。 ---