【碳化硅】陷阱（traps）对SiC MOSFET阈值电压漂移的影响

这篇文章是关于硅碳化物（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压漂移问题的研究。文章的主要目的是通过研究不同的陷阱（traps）对阈值电压漂移的影响，来解决SiC MOSFET的可靠性问题。

摘要（Abstract）

文章提出了一种研究方法，用于分析影响SiC MOSFET阈值电压漂移的不同陷阱的规律，并明确了导致SiC MOSFET阈值电压漂移的主要陷阱。通过瞬态电流法（transient current method）对陷阱进行表征，排除了SiC体陷阱的干扰，准确获得了栅氧陷阱的时间常数谱（time constant spectrum）。研究发现，导致SiC MOSFET阈值电压漂移的主要陷阱时间常数为300毫秒，而其他陷阱主要影响电流，对阈值电压漂移的贡献较小。此外，基于不同陷阱的激活能（activation energies），推断出陷阱的捕获机制是陷阱辅助隧穿效应（trap-assisted tunneling effect）和热电子发射效应（hot electron emission effect），相应的陷阱类型分别是氧