Driver Impedance Calibration

已于 2024-04-01 16:54:33 修改
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文章标签： 信息与通信 单片机
于 2024-03-31 20:30:35 首次发布
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本文链接：https://blog.csdn.net/mysongshine/article/details/137208147
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本文介绍了LPDDR4内存芯片的训练和校准过程，重点讲解了ZQ校准在CSDN博客中的应用，以及对Pulldown电路回路的疑问解答，提供了TheMicronDRAM_calibrationTN4102.pdf文档链接。
摘要由CSDN通过智能技术生成
史上zuiding
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MEMORY系列之“DDR概述”
子曰小玖的博客
11-19 7548
DDR全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，从1996年三星公司提出到现在已经发展到了第六代。 1、DDR发展历程及相关标准 DDR发展至今，主要出现了如下一些版本，及其对应的标准及工作电压如下表所示： 类别 标准 工作电压 DDR JESD79F 2.5V±0.2V or 2.6V±0.1...
[DRAM Test]Memory Initialization, Training and Calibration of DDR4
2401_86762368的博客
09-24 837
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DDR中的ZQ校准
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DDR2 - An Overview
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XIlinx MIG 控制DDR3 SO-DIMM内存条（二）：MIG IP核学习
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这里只学习DDR3 和 DDR2 SDRAM Memory Interface。 1 简介 Xilinx 7系列FPGA 存储器接口解决方案（MIS）IP核 组合了 预先设计的控制器（pre-engineered controller） 和 物理层（physical layer，PHY）接口。这个物理层接口连接【用户设计】或【AMBA AXI4（Advanced eXtensible Interface 4）】接口的DDR3、DDR2 SDRAM器件。 2 IP核自定义 2.1 设置IP核参数 2.1.1
LPDDR5协议解析 ZQ
qq_60416106的博客
04-25 1387
简单来说:ZQ是一个连接在VDDQ和DRAM ZQ pin上的一个精确电阻，阻值为240Ω。ZQ一般是在PCB板上，因此基本上不随着外界温度和电压的变化而变化。但DRAM内部用到的各种电阻，比如ODT等是会随着温度和电压而漂移的，ZQ training/calibration 就是为了解决这种漂移，即通过一个精准的，不跟随外界环境变化的已知阻值的电阻，来校准内部的会随VT变化的电阻，使得内部的电阻能回到漂移之前的阻值范围。
仪器仪表用Σ ΔADC产品
wzk456的专栏
09-16 8093
仪器仪表用Σ ΔADC产品 在线问答: [问：ljsword] If my 10bit adc is only 6bit at test, what is main reasons? [答：Adrian] It could be due to poor power-supply decoupling or poor grounding on the PCB layout. The pow
【解决问题】RLException: [xx.launch] is neither a launch file in package [x] nor is [x] a launch file name
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相比方案1，这个不需要每次编写都添加环境变量了。catkin_ws为我的ROS工作路径。在该文件的最后添加如下代码。查看ROS路径是否添加上。然后重启bashrc。
createprocess 系统找不到指定的文件_1.3 ROS-找不到launch文件的解决办法
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11-23 1829
找不到launch文件的报错形式一般有两种，下面分别介绍并给出解决办法。1.报错信息：[*****.launch] is neither a launch file in package [******] nor is [******] a launch file name The traceback for the exception was written to the log file关键词...
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10-15
- ZQ Calibration for DS/ODT impedance accuracy via external ZQ pad (240 ohm ± 1%)  Signal Synchronization - Write Leveling via MR settings 7 - Read Leveling via MPR  Interface and Power Supply - ...
DDR3存储单元结构详解与关键技术介绍
对于关键技术，如ODT（开漏输出驱动器）、Output Driver Impedance（输出驱动阻抗）、ZQ Calibration（终端匹配校准）、DLL（差分时钟锁相环）、预冲电、刷新机制、突发传输Burst和数据掩码等，都有深入浅出的解析，...
DDR3技术详解：从基础知识到信号质量测试
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DDR3模式寄存器详解：入门与核心技术
此外，文档还深入讨论了DDR3中的关键技术，如ODT（开放/关闭时间）、Output Driver Impedance（输出驱动阻抗）、ZQ Calibration（终端电阻校准）等，这些技术直接影响内存的电气性能和稳定性。 工作流程和参数详解...
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嵌入式硬件电子电路设计（三）电源电路之负电源
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在嵌入式硬件设计中，电源电路是系统稳定性和可靠性的关键组成部分。本章专注于负电源的设计与应用，深入探讨负电源的必要性、产生方法及其在不同应用场景中的作用。
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逻辑电平的一些概念逻辑电平的一些概念要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：1：输入高电平（VIH）： 保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于VIH时，则认为输入电平为高电平。2：输入低电平（VIL）：保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平，当输入电平低于VIL时，则认为输入电平为低电平。3：输出高电平（VOH）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此VOH。4：输出低电平（VOL）
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做机创比赛时画的板子，比到一半因为疫情回家，无后续，，，已打板验证过，使用stm32f405rgt6做主控。
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"bias-high-impedance"通常用于电路设计中，表示一种偏置高阻抗的方式。在电子电路中，偏置（biasing）是为了确保电路正常运行而对信号进行稳定的直流偏置电压设置。 高阻抗偏置意味着使用高阻抗元件或电路来提供偏置电压。这种偏置方法可以帮助保持电路输入或输出端的高阻抗状态，从而减少对信号源或负载的干扰。 通过使用高阻抗偏置，可以实现以下目标： 1. 保持信号源的输入阻抗不受偏置电路影响，以避免信号源与偏置电路之间的相互干扰。 2. 确保信号源或负载之间的隔离，以防止信号源和负载之间相互影响。 3. 减少电流负载，避免对信号源或负载的额外负担。 高阻抗偏置可以通过使用高阻抗元件（如高阻抗放大器、场效应晶体管等）或特定的电路技术（如共模反馈）实现。具体的实现方式和应用取决于具体的电路设计和要求。
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