英伟达下一代GPU技术规格分析_英伟达 gpu 规格-CSDN博客

本文链接：https://blog.csdn.net/njbaige/article/details/138995384

   

英伟达刚发布Blackwell没多久，下一代架构也已经浮出水面。新架构代号Rubin，以美国天文学家 Vera Rubin 命名（美国天文学家维拉·鲁宾（Vera Rubin）是一位杰出的女性科学家，以在星系旋转曲线研究中的开创性工作而闻名。她的研究对暗物质的存在和性质有着重要影响。）。Rubin R100 GPU 将采用 HBM4 内存与台积电 3nm 工艺节点，进一步降低能耗。

知名科技分析师郭明錤预计，Rubin R100 GPU 将属于 R 系列阵容，计划于 2025 年第四季度量产，而面向 DGX 和 HGX 解决方案等系统的生产则定于 2026 年上半年开始。

预计 Rubin R100 GPU 将采用四倍光罩（光罩是芯片制造过程中使用的一种技术，主要用于处理大型或高密度集成电路设计。光罩（reticle）是半导体制造中使用的一种掩模，用于通过光刻机在硅片上“印刷”电路图案。

在“四倍光罩设计”中，整个芯片的设计被分割为几个部分，每个部分分别由不同的光罩进行曝光。这里的“四倍”意味着整个芯片设计需要至少四个不同的光罩来完成。每个光罩覆盖芯片的一个部分，然后通过精确的对位过程，将所有部分精确拼接起来形成完整的芯片。

这种设计主要为了制造更大或更复杂的芯片，因为每个光罩只需要处理芯片的一部分，从而可以在维持高精度和复杂性的同时，增加晶体管的数量和密度。此外，这种方法也有助于优化芯片的性能和功耗，因为可以更精细地控制各个区域的布局和特性。）工艺设计（相比 Blackwell 为 3.3 倍），并在 N3 工艺节点上利用台积电 CoWoS-L 封装技术生产。台积电的目标是到 2026 年实现 5.5 倍光罩的芯片设计，并把基板尺寸扩大至 100x100 毫米，使其最多可容纳 12 个 HBM 位置。而目前的 80x80 毫米封装仅有 8 个 HBM 位置。

台积电还计划引入新的 SoIC 封装设计，在 120x120 毫米的封装配置中容纳超过 8 倍光罩的芯片设计。虽然这些计划仍在制定中，但预计 Rubin GPU 的实际尺寸会介于四倍光罩设计之间。台积电目前还是将其 CoWoS 封装技术视为公司的一个核心投资领域，因为它对提升芯片集成度和性能至关重要。

英伟达计划为 R100 GPU 使用 HBM4 DRAM。目前，B100 GPU 使用的是 HBM3E 内存，预计在 2025 年底 HBM4 大规模量产时，将用该版本替换。R100 GPU 也将在同一时间投产。三星和 SK 海力士计划在 2025 年开始开发最多支持 16-Hi 堆栈的下一代内存解决方案。

英伟达™（NVIDIA®）还将为 GR200 超级芯片模块升级 Grace CPU，模块将容纳两个 R100 GPU 和一个基于台积电 3nm 工艺的升级版 Grace CPU。当前的 Grace CPU 基于台积电 5nm 工艺，拥有 72 个内核，而 Grace 超级芯片模块总共包含 144 个内核。