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§4.4 光电二极管的基本结构与工作机制
功能：将光信号转换成电信号的pn结二极管。
类型：光电二极管(常规pn结型)；
pin光电二极管；
雪崩光电二极管；
金属-半导体(势垒接触)光电二极管；
光电晶体管(双极型、单极型)。
原理：光生载流子定向运动；
光生载流子区域---- 中性区、扩散区、空间电荷区。
一、光电二极管的基本结构
在外加反向偏压和内建电势共同产生的电场作用下，电子向n区漂移，空穴向p区漂移，从而在外电路中产生电流，即为光生电流。吸收入射光子而产生光生载流子的区域，称为吸收区。
高速工作时，耗尽区必须保持很薄以缩短渡越时间；为了增加量子效率（每个入射光子产生的电子--空穴对数目），耗尽区必须足够厚，在响应速度和量子效率之间应取折中。
二、光电二极管的工作机制
pn结反偏；
光生载流子构成输出电流。
对光生电流有贡献区域? 所有光生载流子区
光生电流与光电池是否相等？ 一般不等
光生电流是否常数(理想)? 一般常数
三、光电二极管的量子效率
量子效率表示一定的入射光子能获得的电流大小。即量子效率表示入射一个光子得到的载流子数目
波长大于本征吸收波长的光几乎不会引起光的吸收，所以量子效率是零。对于短波长的光来说，吸收几乎发生在表面的附近，在没有到达耗尽层被电场分离之前就被大量复合，量子效率降低。
响应时间是指探测器将入射光辐射转换为电输出的弛豫时间。主要由三部分组成：光生少数载流子电子在吸收层的扩散时间；电子在耗尽层的电场下漂移时间；由结电容和负载电阻所决定的电路时间常数
光电二极管响应速度不仅由电子空穴的迁移时间、结的电容量所决定，也和p层、n层内产生的载流子的扩散时间有关。一般说来，耗尽层厚则迁移时间变长；耗尽层薄会使结电容量增加，响应特性变差
四、光电二极管的响应时间
响应时间是描述探测器对入射光辐射响应快慢的一个特征参数。它是指探测器将入射光辐射转换为电流输出的弛豫时间。当光突然照射到探测器上时，探测器的电流输出要经过一定时间才能上升到与入射光辐射相应的稳定值。当入射的光辐射被移除以后，探测器的电流输出也要经过一定的时间才能下降到照射前的值。探测器收到光照射后其电流输出上升到稳定值，或者移除光照后其电流输出下降到光照前的值所需要的时间称为探测器的响应时间或时间常数。响应时间主要由以下三部分组成：
（1）光生少子-电子在吸收层的扩散时间，即：
其中，W_A为吸收层宽度；ν_th为吸收层边缘处热电子发射速度。
（2）电子在耗尽层电场下的漂移时间，即：
其中，x_m为空间电荷区宽度；ν_s为电子在电场作用下漂移速度。
（3）由pn结电容C_j和负载电阻R_L所决定的电路时间常数τ_RC。
因此，总的响应时间为：
所以，光电二极管响应速度不仅由电子和空穴的迁移时间、pn结电容的值所决定，还与p区、n区内产生的载流子的扩散时间有关。一般来说，耗尽层厚，则迁移时间会变长；耗尽层薄，会使pn结电容的值增加，响应特性变差。
光电二极管可以看成是一个恒流源和一个二极管，其等效电路如下图示。在正向偏压下，随电压的增加，电流很快增大，但作为光电探测器，它在正向偏置时没有使用价值。在反向偏压下，电流很快达到饱和，此电流即为光电探测器的暗电流。
暗电流越大，探测器的噪声功率就越大，其性能就越差。在偏置电压较低的情况下，耗尽层内的产生-复合电流和p区、n区少数载流子形成的扩散电流都是暗电流的主要成分；在偏置电压较高时，使光电二极管暗电流大幅增加的主要原因是载流子的隧穿效应。
（1）有光照时，流过负载的电流分两部分：一部分是二极管的光电流I_ph；另一部分是二极管的暗电流I_dark，即：
（2）没有光照时，光电流为0，流过的电流为：
当光照射且光照恒定时，即I_ph=常数，此时有：I=I_ph+I_dark
§4.5 光电二极管的等效电路
一、直流等效电路
非理想情况
与直流等效电路相比，二极管可以看成是一个电容和电阻的并联，其表达式分别为：
二、交流等效电路
在施加反向偏压时，反向电阻非常大，可以忽略。再把非理想因素忽略，理想情况下光电二极管的交流等效电路如上图示。
与直流等效电路相比，二极管可以看成是一个电容和电阻的并联，其表达式分别为：
三、静态工作点
光电二极管的偏置电压是在没有光照情况下给定的一个直流电压。偏置电压的大小也要根据情况而定，一般大于二极管的正向电压且远小于击穿电压，其大小由静态工作点确定。 如果偏置电压一定，外接负载电阻一定，则光电流与光强为线性关系，如下图中直线。该线与光电流输出曲线的交点即为静态工作点，其中在光电流饱和位置的交点称为饱和点M。
三、I-V特性（直流）
四、光电二极管的静态工作点
§4.6 pin型光电二极管
由于普通的pn结光电二极管电容的值较高、扩散区较长，导致其频率特性较差，制约了其在高频方面的应用。人们在普通pn结光电二极管的基础上，在其中加入一层浓度很低的本征半导体材料，即i层，构成pin型光电二极管。
Pin型光电二极管的工作机制与pn结光电二极管类似，在pin型光电二极管两端加上大小为U_R的反向偏压，会在结上形成一个和内建场方向相同的外加电场。当入射光子能量大于或者等于材料的禁带宽度时，即光子被半导体吸收，并激发p区、i区和n区的价带电子，产生电子-空穴对。在耗尽区电场作用下电子和空穴分离，在外电路中形成光电流，即将接收到的光学信号转换为电信号输出。
一、 pin型光电二极管结构
二、 pin型光电二极管电场分布
三、 基本特性
四、工作机制
在正常工作条件下，调节反向偏压可使i层全部耗尽。通过设计耗尽层的宽度约为2/α（α为吸收系数），就能够在某一波长下获得最大的光电响应。另外，由于大部分的光电流在i层产生，所以它的频率响应比pn结光电二极管要快得多，在耗尽层的i层中，强大的电场将使光生载流子迅速收集并获得最大的频率响应。
i层增加了耗尽层的宽度，即加大了吸收及光电转换区的厚度，从而提高光电二极管的光电灵敏度。同时，显著地减小了pn结电容的值，缩短了响应时间，提高了频率响应特性。 i层是高阻层，不仅抑制了暗电流；还分担了大部分反向偏压，成为高电场区。因此，pin型光电二极管具有的特点是：
（1）i层的存在增大了光电转换的有效工作区域，使得光生载流子的产生率增多，提高了器件 的响应度和量子效率。
（2）i层的强电场对少数载流子起到了加速作用，减少了少数载流子的渡越时间。
（3）i层的存在提高了器件的反向击穿电压。
五、量子效率
§4.7 异质结与肖特基光电二极管
光电二极管多数用于光电探测，因此我们希望其光谱响应范围越宽也好、转化率越高越好。采用能带结构不同的两种材料接触形成异质结二极管。异质结二极管可利用宽禁带材料对光透射性好的特点，作为禁带材料的光入射窗口，使其光谱响应范围展宽，从而达到提高其光电探测性能的目的。
一、异质结光电二极管
Si/Si1-xGex/Si异质结光电二极管的结构及其能带结构示意图
异质结光电二极管还具有以下特点：
1. 可以让被检测光子与电子的相互作用主要发生在窄带侧，以有效改善表面吸收效应，提高转换效率；
2. 通过对窄带侧材料的选择与优化，实现探测器的探测波长选择；
3. 异质结就有较高载流子发射效率，因此其暗电流小。
二、肖特基光电二极管
# 金属-本征-半导体
肖特基势垒是由功函数不相同的金属和半导体接触时所形成的势垒。当作为正极的金属与作为负极的半导体（一般为n型半导体）接触时，n型半导体中电子会从半导体向金属中扩散。随着电子的不断扩散，半导体表面打的电子浓度不断降低，表面电中性被破坏就形成了势垒，其电场方向是由半导体指向金属。当由电场引起的电子漂移运动和由于浓度梯度引起的电子扩散运动达到动态平衡时，肖特基势垒形成。
肖特基光电探测器可以实现各种光波探测，其中在红外光电探测器中应用较多。肖特基红外光电探测器最主要的优势是响应速度快，这由以下两方面原因造成：
它是一种单一载流子输运电荷的器件，这样很大程度上减少了复合。
其独特的结构使光子主要被肖特基势垒区所吸收，避免了电子-空穴对先扩散到结区再分离的运动模式。
除此之外，肖特基光电探测器还具有低功耗、工艺制作简单等特点。
§4.8 雪崩光电二极管(APD)
一般光电二极管的灵敏度都不够高，而雪崩光电二极管（APD）利用了高反向偏压下二极管耗尽层产生载流子倍增效应，而获得很高的光电流增益，其增益可达10^2~10^4。因此，APD灵敏度很高，响应速度很快，可达10^5MHz，适用于探测弱光信号，可广泛地应用于光通信探测、红外探测、紫外探测等方面，是一种很有发展前途的光电探测器。
一、基本结构示意图
二、工作原理
雪崩二极管的工作机制如右图示，当光电二极管的pn结上加相当大的反向偏压时，在耗尽层内将产生一个很高的电场，它足以使在该强电场内漂移的光生载流子获得充分的动能，通过与晶格原子碰撞将产生新的电子-空穴对。新的电子-空穴对在强电场作用下，分别向相反的方向运动，在运动过程中，又可能与晶格碰撞，再一次产生新的电子-空穴对。如此反复，形成雪崩式的载流子倍增。这个过程就是雪崩光电二极管的工作机制。 正常情况下，雪崩二极管的反向工作偏压一般略低于反向击穿电压。在无光照时，pn结内不会发生雪崩倍增效应。但势垒区一旦有光照射，激发出的光生载流子就被临界电场加速而导致雪崩倍增。
三、雪崩增益-Mph
雪崩光电二极管反向偏压与光电流倍增系数及暗电流的关系曲线。在反向偏压较小的情况下（A点以左），无雪崩过程，光电流较小，随着反向偏压升高（A到B），将引起雪崩过程，使光电流增大。若反向偏压再继续升高（超出B点），将发生雪崩击穿，同时暗电流越来越大。
四、雪崩噪声
雪崩光电二极管保护环作用有两个：一是由于保护环为深扩散，在保护环处pn结区拉得较宽，它呈现高阻抗，可以减小表面漏电流，并承受一定的击穿电压； 二是避免由于结边缘材料的不均匀及缺陷，使结边缘过早击穿。所以有保护环的雪崩光电二极管也称为保护环雪崩光电二极管，记作GAPD。
§4.9 光电晶体管与光敏场效应管
上图为npn型光电晶体管的结构及其能带示意图。通常基极处于开路状态，在发射极和集电极之间施加反向偏压。 当光照射到光电晶体管上时，基极和集电极之间的耗尽层吸收光子产生电子-空穴对，其中电子移向集电极、空穴移向基极。这时空穴电流所起的作用如同一般双极型晶体管中的基极电流，即当空穴进入基极使基极电位高，降低了基极与发射极间的电子势垒，使电子比较容易地注入基极。
二、光敏场效应管
在一块n型半导体Si片的上、下面各做一p型区，形成两个pn结，用于控制栅极G，pn结耗尽层厚度由加在栅极上的偏压的大小来控制。同时，在n型半导体两端各引出一个源极S和漏极D，并在源、漏极之间加上电源，使漏极D接正，源极S接负，这样就有电子（n型半导体中的多数载流子）从源极S通过n沟道向漏极D漂移，这时n型半导体起电阻作用，称为沟道电阻。
三、色敏光电晶体管
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